VBG3638 Product details
Product introduction:
**產品名稱**: VBG3638
**封裝**: DIP8
**配置**: 雙極N溝MOSFET(Dual-N)
VBG3638是一款高性能的雙N溝MOSFET,採用DIP8封裝,設計用於承受60V電壓和6A電流應用。該器件採用Trench技術,具有較低的導通電阻和優良的開關性能,適合各種需要雙MOSFET配置的應用。
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Product parameter:
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp(V) | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DIP8 | Dual-N | 60V | 20V(±V) | 1~3V | 6A | 45.6(mΩ) | 38(mΩ) | Trench |
- **V_DS(漏源電壓)**: 60V
MOSFET漏極與源極之間能夠承受的最大電壓。
- **V_GS(柵源電壓)**: ±20V
MOSFET柵極與源極之間允許的最大電壓。
- **V_th(柵極閾值電壓)**: 1V ~ 3V
使MOSFET開始導通所需的最小柵源電壓範圍。
- **R_DS(ON)(漏源導通電阻)**:
- 45.6mΩ @ V_GS = 4.5V
- 38mΩ @ V_GS = 10V
MOSFET在導通狀態下漏極與源極之間的電阻。較低的R_DS(ON)值表明更高的開關效率和更低的功率損耗。
- **I_D(連續漏極電流)**: 6A
MOSFET能夠承受的最大連續漏極電流。
- **技術**: Trench
採用Trench技術,提供低導通電阻和較高的電流處理能力。
Domain and module applications:
VBG3638 MOSFET適用於需要雙N溝MOSFET配置的多種應用,特別是在電源管理和負載開關領域:
1. **電源管理**:
- **DC-DC轉換器**: 在DC-DC轉換器中作為開關元件,確保高效的電力轉換和低功耗操作,適合處理60V電壓的應用。
- **負載開關**: 用於各種電源管理應用,提供高效、低損耗的負載開關功能,支持高電流負載。
2. **電機控制**:
- **電動機驅動**: 在小型電機驅動系統中提供高效的開關和電流控制,適用於風扇驅動和小型電動工具。
- **步進電機控制**: 在步進電機驅動系統中,提供精確的電流控制和穩定的開關性能。
3. **汽車應用**:
- **電源分配系統**: 在汽車電源分配系統中處理60V電壓的負載,確保系統的高效和可靠性。
- **電子控制單元(ECU)**: 在汽車ECU中用於控制各種電子功能,提供穩定的電源開關和負載管理。
4. **消費電子**:
- **電源管理模組**: 在消費電子產品的電源管理模組中,用於高效的電力開關和管理。
- **電池供電設備**: 在可攜式設備中,提供高效的電力管理和低功耗操作,延長設備的電池壽命。
VBG3638以其低導通電阻和雙MOSFET配置,適合各種高電壓、高電流應用,確保系統的高效性和可靠性。
Technical support:
* If you have any questions about the product, please fill out the form to submit, we will reply you within 24 hours
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