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VBW1202N Product details
Back to previous pageProduct introduction：
VBW1202N 是一款單 N 型溝槽技術 MOSFET，具有 200V 漏源電壓 (VDS)、±20V 柵源電壓 (VGS)、4V 閾值電壓 (Vth) 和 14 m Ω 導通電阻。它能夠承受 96 安培的最大漏極電流 (ID)。該器件採用 TO3P 封裝。
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Product parameter：
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO3P | Single-N | 200V | 20（±V） | 4V | 96A | 14 (mΩ) | Trench |
參數： - 類型：單 N 型 - VDS(V)：200 - VGS(㊣V)：㊣20 - 閾值電壓 (V)：4 - VGS=10V 時的導通電阻 (miohms)：14 - 最大漏極電流 (ID) (amps)：96 - 技術：溝槽封裝：TO3P
Domain and module applications：
**詳細參數說明：** **應用介紹：** 1. **工業電源**：由於VBW1202N具備高耐壓、高導通電流能力，因此適用於工業電源模組，包括大功率電源開關、工業UPS系統等。 2. **電動汽車**：在電動汽車中，該器件可應用於電動汽車的電池管理系統、充電器以及驅動控制器中，實現高效的電源管理和控制。 3. **太陽能逆變器**：由於VBW1202N具備高耐壓特性，因此適用於太陽能逆變器中的電源開關模組，將太陽能電池板發出的直流電轉換為交流電。 4. **焊接設備**：該器件可作為工業焊接設備中的電源開關模組，確保高效的電源轉換和穩定的焊接過程。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features
Technical support：
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