對於高壓下MOS與IGBT的短路保護電路方案介紹

在高壓下MOS與IGBT元器件要怎麼做短路保護呢？下麵由小編來給您講解下

首先在3腳的排序上，先以帶有短路保護鎖定的驅動的3腳為短路信號檢測入端;然後2腳為驅動地;最後1腳為驅動輸出。

　　這樣如果電路存在短路，那麼流過MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET簡稱MOS）的電流很大在S極電阻兩端產生的壓降導致三極管由截止進入導通(當然導到什麼程度具體跟MOS的跨導有關系)，因此驅動電阻上面有壓降，MOS進入放大區。這個時候高電壓就不會通過MOS進行強電流放電，這樣晶片就不會有局部過熱的可能，能在很短的時間內保護電路檢測到短路存在關閉並鎖定驅動電壓輸出，這樣MOS就僅僅承受了動作時間內的恒流功率損耗，安全性能得到了很大提高。

　　當然小編發布的電路僅作為理解原理，實際使用上具體參數還是要看實際工況選取的。

　　S級的電阻是根據你選定的MOS的IDM(Pulsed Drain Current留餘量)選定的,至於跨導這個不是主要因數;這裏三極管並不工作在開關狀態他只是根據MOS的瞬態電流值調整MOS的驅動電壓,保證在短路出現的時候IDM不至於超出安全工作範圍,這個時候由於在1US甚至更短的時間內驅動已經被關斷並鎖定,所以不存在過功損耗.三極管的反映時間越快越好.其實這個電路是電流負回饋電路演變過來的.電路如下: