有關MOS管實戰應用之MOS管壓降與MOS管經常性燒壞問題

為什麼MOS管壓降這麼大呢？

圖一

這是一款產品設計實例，要求是低功耗，因為有藍牙，所以弄了一個NMOS管用來低功耗時切斷藍牙電源。MOS管用的是FDV301。可是發現，MOS導通時，VCC是3.3V,VCC1只2.67V，所以藍牙根本連不上。

請問為什麼MOS管壓降這麼大呢？電路應該怎麼改呢？

MOS管經常性燒壞是哪里設計出了問題了？

圖二

如圖二，這是一個利用P-MOS組成的開關電路。B+是電池端，當開關按鍵按下後單片機獲得供電即將IO口置1，MOS管G極獲得持續低電平，實現開機。現在的問題是MOS管經常性燒壞，請問是哪里設計出了問題了。

注：

1. G極為0時導通電壓正常，基本無壓差

2. 經低頻開關測試，無異常現象出現

【上期問題解答】

問題一：STTH3010W快恢復二極體，If（av）=30A，Vrrm=1000V， DO-247封裝，可加裝大型低熱阻散熱片，

這個夠用的，如果還不夠用，可以降低一下Vrrm到600V，這樣就可以選用IDW100E60FKSA1這樣的功率二極體，峰值400A，平均正向電流150A，TO-247封裝，可以上散熱器，甚至是主動散熱。

如果還抗不住，可以考慮在電力器件中選型了，像是IGBT，有270A的，不過控制電路要更複雜。

問題二：前端LC低通濾波的作用，主要是濾除高頻成分放置喇叭自激燒毀同時兼顧一定的阻抗匹配作用，看描述只是說它不會降低MOS管的電壓應力並沒有說減小MOS管的衝擊，個人覺得這個RC電路是用來對喇叭負載的衝擊電流進行抑制的.

另外前端LC低通濾波的作用，主要是濾除高頻成分，防止喇叭自激燒毀。高頻成分的來源，是功放晶片推挽輸出時MOS管的高頻開關，即輸出PWM波形的高頻，LC肯定不能100%的濾除的，但是是要衰減到一定程度對喇叭沒影響即可。還有喇叭在高頻干擾的情況下，一般很容易發生自激震盪造成燒毀的，喇叭一般對直流和高頻都比較敏感

注：RC電路是用來對喇叭負載的衝擊電流進行抑制的，因為喇叭也是有線圈的又有磁鐵，也是個電感，所以喇叭自身也有一定的衝擊電流，所以有些設計專門對喇叭加續流二極體。