重磅！微碧半導體推出新一代中低壓MOSFET技術

微碧半導體最近推出了一款全新的功率MOSFET產品，名為SGT（Shielded Gate Trench遮罩柵溝槽）技術。這項技術通過改變MOSFET內部電場的形態，將傳統的三角形電場變為類似壓縮的梯形電場，從而進一步減小EPI層的厚度，降低導通電阻Rds(on)。微碧的新一代中低壓功率MOSFET產品已廣泛採用SGT技術。包括VBGQT1102、VBGM1102、VBGL1103、VBGL1805、VBGE1805等型號都有應用該技術。

（Trench MOS和SGT MOS器件結構圖）

SGT MOSFET與傳統的溝槽型MOSFET相比具有許多優勢。SGT工藝挖掘深度比普通溝槽工藝深3-5倍，通過在柵電極下方增加一塊多晶矽電極，即遮罩電極或耦合電極，實現了遮罩柵極與漂移區的作用。這樣一來，SGT MOSFET減小了米勒電容和柵電荷，提高了開關速度並降低了開關損耗。同時，SGT MOSFET減小了漂移區臨界電場強度，降低了導通電阻，內阻比普通溝槽型MOSFET低2倍以上。

（Trench MOS和SGT MOS柵電荷對比）

（Trench MOS和SGT MOS的特徵電阻對比）

（Trench MOS和SGT MOS的損耗對比）

採用SGT技術製造的MOSFET減小了寄生電容和導通電阻，提升了晶片性能，並減小了晶片面積。與普通溝槽型MOSFET相比，在相同功耗下，SGT MOSFET的晶片面積減少超過40%。此外，SGT MOSFET在雪崩時能夠更好地承受雪崩擊穿和浪湧電流，具有較高的功率密度。

（應用於同步整流SGT MOS）

隨著手機快充、電動汽車、無刷電機和移動儲能的興起，中低壓MOSFET的需求越來越大。SGT MOSFET作為中低壓MOSFET的代表，被廣泛應用於手機快充、電機驅動和電源管理系統等領域，成為核心功率關鍵部件。

（VBsemi SGT MOS型號展示）

微碧半導體的中低壓SGT系列產品以其先進的生產工藝、優良的性能和良好的口碑在各個領域得到廣泛應用。這些產品具有較低的導通電阻和導通損耗，能夠減小漂移區臨界電場強度，提高晶片耐壓能力。微碧半導體將攜帶這些最新的MOS管產品線，包括SGT MOS、平面和溝槽工藝的MOSFET以及多層外延超結MOSFET，在2023慕尼克上海電子展上進行展示。展會將於2023年7月11日至13日在上海國家會展中心舉行，微碧半導體的展位號是7.2H-A606。

（展會平面圖）

在展會上，參觀者將有機會與微碧半導體的技術專家進行交流和溝通，瞭解更多關於SGT MOSFET產品和技術的詳細資訊。此外，微碧半導體還將展示在IGBT和寬頻隙材料領域的最新研發成果。

作為一家國家級高新技術企業，微碧半導體一直致力於推動半導體器件技術的發展，並為客戶提供創新的解決方案。他們的產品品質可靠，性能穩定，廣泛應用於電源、電機控制、照明等領域。

因此，我們誠摯地邀請新老客戶前往2023慕尼克上海電子展參觀微碧半導體的展位。這將是一個瞭解最新半導體器件技術和趨勢的絕佳機會。我們期待著您的光臨，並與您共同探討半導體器件領域的發展前景。