MOS管Vg大於Vth後，耗盡區會不會繼續變大？

在MOS管中，柵極電壓控制耗盡區的形成。MOS管的耗盡區，電流主要由漏極到源極的電流決定。

當柵極電壓低於或等於閾值電壓時，漏極和源極之間的耗盡區存在，導致電流受限。

但當柵極電壓超過閾值電壓時，MOS管進入了放大區或飽和區，這意味著柵極電壓足夠大以至於完全反轉了耗盡區。

在飽和區或放大區，MOS管的漏極到源極的電流幾乎不再受耗盡區的影響。相反，漏極到源極電流主要由柵極電壓和管子內的電場決定。

當柵極電壓超過閾值電壓時，耗盡區變窄並形成彎曲，並且在柵極下方會形成一個反型層，從而允許更多的電子通過（從漏極到源極）。

反型層作為漏極到源極的導通溝道。柵極電壓越大，反型層越厚，柵極增加的電壓落在反型層，耗盡層不會繼續變大。

因此，當MOS管的柵極電壓超過閾值電壓時，耗盡區不再起主導作用，而是變得很小。這導致了更高的導通電流，所以耗盡區不會繼續變大。