在MOSFET導通實際應用中，為什麼以柵源電壓VGS大於VTH為判斷依據

碧微在網上看到這個問題:一般在介紹 MOS 管工作時，似乎都是說在柵級加一個電壓，當柵極對襯底的電位差大於 VTH（閾值電壓）時溝道形成，管子可以導通，而沒有源極和漏極什麼事。但為什麼實際計算和使用時卻是要以柵源電壓 VGS（柵源電壓）大於 VTH 為判斷依據？

其實這個很好理解，我們可以從VGS和VTH的關係進行入手：

VTH 與 VGS 之間的關係可以通過 MOS 管的轉移特性曲線來直觀地表示。在 VGS 大於 VTH 時，MOS 管導通，電流可以通過；在 VGS 小於 VTH 時，MOS 管截止，電流幾乎不會通過。因此，要實現 MOS 管的開關功能，需要確保 VGS 大於 VTH。

那麼，提到柵級電壓與襯底電壓之差大於閾值電壓（VTH），這樣溝道才能形成，從而導致MOS管導通。但實際計算和使用時，為什麼我們更關注的是柵源電壓（VGS）與閾值電壓（VTH）之間的關係呢？

可以用一個簡單的公式表示：VGS = VTH + Vds。

其中，Vds 是源極和漏極之間的電壓。從這個公式可以看出，只要 Vds 足夠大，即使 VGS 略小於 VTH，也可以讓 MOS 管導通。因此，在實際應用中，我們通常關注 Vds 的大小，而不是 VGS 與 VTH 之間的差距。

我們更關注柵源電壓（VGS）與閾值電壓（VTH）之間的關係，是因為這直接決定了MOS管的導通與截止狀態。在MOS管導通時，柵源電壓（VGS）大於閾值電壓（VTH），溝道形成，電流可以通過器件。而在MOS管截止時，柵源電壓（VGS）小於閾值電壓（VTH），溝道被堵塞，電流無法通過。

柵極電壓與襯底電壓之差大於閾值電壓（VTH）是保證MOS管正常工作的必要條件，但並不足夠決定MOS管的導通與截止。柵源電壓（VGS）與閾值電壓（VTH）之間的關係則直接影響MOS管的導通與截止。

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