重磅！微碧攜帶新品MOS型產品亮相深圳慕尼克電子展！

重磅！微碧攜帶新品MOS型產品亮相深圳慕尼克電子展！

微碧推出幾款新型MOS型產品將在今年的深圳慕尼克華南電子展會亮相！展會將於2023年10月30日至11月1日在深圳國際會展中心（寶安新館）舉行，微碧半導體的展位號是1號館1D13。

l SiC MOSFET

碳化矽（SiC）作為第三代半導體材料，相比於傳統的矽（Si）具有耐高壓、耐高頻、耐高溫等優勢。首先，碳化矽（SiC）的擊穿電壓為矽（Si）的8-10倍，能夠承受更大的電流和電壓，帶來更小尺寸的產品設計和更好效率。其次，碳化矽（SiC）不存在電流拖尾現象，能夠提高元件的開關速度，是矽（Si）開關速度的3-10倍，從而適用於更高頻率和更快的開關速度。最後，碳化矽（SiC）擁有非常高的導熱率，相較矽（Si）來講，能在更高的溫度下工作。

特點

具有高溫工作、 高阻斷電壓、低損耗、開關速度快等優勢

應用領域

主要集中在電力電子領域，包括光伏、新能源汽車、充電樁、風電、軌道交通等。

l SJ MOSFET

SJ MOSFET（超結MOSFET）：SJ MOSFET是一種超結構MOSFET，英文名稱叫Super Junction MOSFET。主要應用於高壓（600V-800V）領域。為了解決額定電壓提高而導通電阻增加的問題，超結結構MOSFET在D端和S端排列多個垂直pn結的結構，其結果是在保持高電壓的同時實現了低導通電阻。

它的結構是在溝槽MOSFET的基礎上加入了超結二極體，可以有效降低開關損耗和反向恢復時間，提高效率和可靠性。

特點

SJ-MOSFET具有傳導損耗低、電流驅動能力大、柵極電荷低、開啟電壓低、開關速度快、百分之百的雪崩能量擊穿測試等優點。

應用領域

適用於電機驅動系統、逆變器系統和電源管理系統等領域。

l IGBT

IGBT（絕緣柵雙極型電晶體),IGBT具有BJT的輸入特性和MOS管的輸出特性。與BJT或MOS管相比，絕緣柵雙極型電晶體IGBT優勢在於它提供了比標準雙極型電晶體更大的功率增益，以及更高工作電壓和更低MOS管輸入損耗。它主要應用於高壓（600V-1700V）領域。它的結構是在MOSFET的基礎上加入了PN結，可以實現高電壓和高電流的控制。

特點

具有低導通電阻、低開關損耗、高速開關和高可靠性等特點。

應用領域

適用於電動汽車、軌道交通、工業控制等領域的電機驅動系統、逆變器系統和電源管理系統。

IGBT

（IGBT結構圖）

l SGT MOSFET

SGT MOSFET（遮罩柵溝槽MOSFET）是一種新型的功率半導體器件，採用遮罩柵溝槽技術製造的MOSFET減小了寄生電容和導通電阻，提升了晶片性能，並減小了晶片面積,可以實現低導通電阻和低開關損耗。

這項技術通過改變MOSFET內部電場的形態，將傳統的三角形電場變為類似壓縮的梯形電場，從而進一步減小EPI層的厚度，降低導通電阻Rds(on)。微碧的新一代中低壓功率MOSFET產品已廣泛採用SGT技術。包括VBGQT1102、VBGM1102、VBGL1103、VBGL1805、VBGE1805等型號都有應用該技術。

SGT MOSFET與傳統的溝槽型MOSFET相比具有許多優勢。SGT工藝挖掘深度比普通溝槽工藝深3-5倍，通過在柵電極下方增加一塊多晶矽電極，即遮罩電極或耦合電極，實現了遮罩柵極與漂移區的作用。這樣一來，SGT MOSFET減小了米勒電容和柵電荷，提高了開關速度並降低了開關損耗。同時，SGT MOSFET減小了漂移區臨界電場強度，降低了導通電阻，內阻比普通溝槽型MOSFET低2倍以上。

特點

具有低導通電阻、低開關損耗、高速開關和高可靠性等特點。

應用領域

適用於電動汽車、光伏發電、節能家電等領域的電機驅動系統、逆變器系統和電源管理系統。

#分享秋日好天氣#

在展會上，參觀者將有機會與微碧半導體的技術專家進行交流和溝通，瞭解更多關於新推出的MOSFET產品和技術的詳細資訊。

作為一家國家級高新技術企業，微碧半導體一直致力於推動半導體器件技術的發展，並為客戶提供創新的解決方案。微碧的產品品質可靠，性能穩定，廣泛應用於電源、電機控制、照明等領域。

因此，我們誠摯地邀請新老客戶前往2023深圳慕尼克華南電子展參觀微碧半導體的展位。這將是一個瞭解最新半導體器件技術和趨勢的絕佳機會。我們期待著您的光臨，並與您共同探討半導體器件領域的發展前景。

2023慕尼克華南電子展 （electronica South China）

舉辦時間：2023年10月30-11月1日

舉辦地點：深圳國際會展中心（寶安新館）

主辦單位：慕尼克展覽（上海）有限公司

微碧展館號：一號館-1D13