解讀合集來啦！帶你快速瞭解MOSFET基礎參數

一般在選擇和使用MOS管時，我們會進行查閱產品的參數手冊，面對琳琅滿目的參數有時候是不是有些頭暈眼花？今天我們就對參數手冊一些比較基本和常用的參數進行解讀，幫助大家更容易挑選到合適的MOS產品。

現在我們來看下麵這張圖

00001. 

VDS：漏極-源極電壓，即MOSFET工作時漏極和源極之間的電壓（最大承受）。

00002. 

00003. 

VGS：柵極-源極電壓，即MOSFET工作時柵極和源極之間的電壓（最大承受）。

00004. 

00005. 

ID：漏極電流（漏極可承受的持續電流值），即MOSFET工作時從漏極流出的電流，如果流過的電流超過該值，會產生擊穿的風險。

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00007. 

IDM：最大脈衝漏極電流（源漏之間可承受的單次脈衝電流強度），即MOSFET能夠承受的最大暫態漏極電流。同樣如果超過該值，會引起擊穿的風險。

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00009. 

EAS：單脈衝擊穿能量，即MOSFET能夠承受的單脈衝擊穿能量，可以安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。

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00011. 

PD：最大耗散功率，即MOSFET能夠承受的最大功率。

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00013. 

DV/dt：漏極-源極電壓變化率（承受能力越大越好），即MOSFET漏極-源極電壓每單位時間的變化率。

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00015. 

TJ, Tstg ：MOSFET能夠正常工作的溫度範圍以及能夠安全存儲的溫度範圍。控制器件在合適的溫度範圍內工作，將有利於延長其工作壽命。

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這些參數對MOSFET的工作和性能有著重要的影響。

其中，VDS和VGS是MOSFET的基本工作電壓，ID和IDM則決定了MOSFET的輸出電流能力，EAS和PD則是MOSFET的安全工作範圍，DV/dt則是MOSFET的開關速度，工作結溫度範圍和存儲溫度範圍則是MOSFET的使用環境限制。

RthJA和RthJC指MOSFET器件的熱阻值，一個是溝道-環境的最大熱阻抗，一個是溝道-封裝的最大熱阻抗。一般來說熱阻越小，表示散熱性能越好。

它可以幫助我們計算MOSFET器件的最大工作溫度和功率。如果MOSFET器件的工作溫度超過了它的最大工作溫度，它可能會損壞或者失效。

一般比較常見的參數就是這些，還有更多參數與曲線圖後續我們再進行講解。

在面對這麼多參數問題，微碧為方便大家能夠快速找到自己想要的MOS管型號，近期為大家整合出了一些產品視頻的講解，後續將會持續推進。（如下圖）

（各大視頻平臺皆可搜索VBsemi）

我們會將產品的部分參數供大家參考：

#分享秋日好天氣#產品的封裝、溝道類型、最大電流、最大電壓、限制電壓以及閾值電壓、RDS（on）參數（不同情況下）和其他參數以及其廣泛的應用領域。

（視頻內容）

朋友們在面對想要瞭解的MOS型產品時，可以直接進行搜索產品型號，或者不清楚自己應該選擇哪些合適的MOS型產品可以在各大平臺上點擊查看，瞭解哪些產品與自己的應用情況相匹配，也可以選擇搜索官網平臺進入查看更多產品參數詳情！

（微碧VBsemi型號大全）

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