MOSFET性能改進：VBsemi超級結MOSFET

SJ MOSFET（超結MOSFET）

SJ MOSFET是一種超結構MOSFET，英文名稱叫Super Junction MOSFET。主要應用於高壓（600V-800V）領域。為了解決額定電壓提高而導通電阻增加的問題，超結結構MOSFET在D端和S端排列多個垂直pn結的結構，其結果是在保持高電壓的同時實現了低導通電阻。

它的結構是在溝槽MOSFET的基礎上加入了超結二極體，可以有效降低開關損耗和反向恢復時間，提高效率和可靠性。

對於常規VDMOS器件結構，RDS(ON)與BV是矛盾的，要想提高BV，減小EPI摻雜濃度，導通電阻必然要變大；而超結MOS是在提高NEPI摻雜濃度的同時，利用在NEPI中加入P柱，形成更大的PN結，在器件反偏時形成很厚的PN耗盡層，以達到高的隔離電壓，從而使其RDS(ON/BV)打破原有VDMOS的極限。

SJ MOSFET 特點

SJ-MOSFET具有傳導損耗低、電流驅動能力大、柵極電荷低、開啟電壓低、開關速度快、百分之百的雪崩能量擊穿測試等優點。一般適用於電機驅動系統、逆變器系統和電源管理系統和大功率電源應用等領域。

其中我們以大功率電源應用領域舉例子得知，SJ MOSFET在大功率電源應用十分廣泛，如太陽能逆變器、電動汽車驅動電源、工業電源等。

在太陽能逆變器中，超結MOSFET可明顯提高系統的效率和可靠性；在電動汽車驅動電源中，超結MOSFET的高開關速度和低開關損耗為車輛的加速和行駛提供了穩定而高效的電源支持；在工業電源中，超結MOSFET的低導通損耗和低開關損耗為各種工業設備提供了穩定而高效的電源。

在這裏我們可以推薦VBsemi的超級結MOSFET型號：

VBsemi的超級結MOSFET優勢：

l 效率高、穩定性強

l 內阻低、低功耗、低溫升

l 適用於硬開關及軟開關（PFC和LLC）。

l 易於使用，可快速設計並適用於PFC和PWM階段

l 適用於多樣化的應用及功率需求