MOS管輸入電阻很高，為什麼一遇到靜電就不行了

先來簡單瞭解MOS管的輸入電阻和靜電擊穿

輸入電阻

指的是在柵源之間，當柵極電壓變化時，源極電流的變化率。MOS管的輸入電阻通常很高，具有很高的絕緣性能，這意味著只有極小的漏電流通過柵極。不過這種高電阻可以減小控制電路的功耗，讓它可以作為信號放大器的輸入級以及開關使用。

靜電擊穿

由於靜電的積累導致電壓超過了原本MOS的絕緣能力，導致電流突然增大的現象。

一般靜電擊穿有兩種：

一是電壓型，即柵極的薄氧化層發生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路；

二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開路或者是源極開路。

那麼，回到問題本身，為什麼MOS管的輸入電阻很高，但是一遇到靜電就不行了？

MOS管的輸入電阻很高，某種程度上也意味著它對輸入信號的電流是非常敏感的。

我們知道MOS管是一個ESD敏感器件，由於本身的高輸入電阻再加上柵-源極間的電容非常小，導致它極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，當靜電或外界電磁場作用於MOS管時，就會在極間電容上形成電荷，導致極間電容的電壓升高。

由於輸入電阻很高，這些電荷無法通過輸入端得到很好地洩漏，於是電壓在極間電容上積累，可能會引起靜電擊穿甚至有損壞MOS管的風險。

上面我們有提到一個點，也就是MOS管的工作環境，在靜電場較強的環境中，空氣中的離子和電荷會較多，從而增大了增加靜電的積累和放電的可能性，也就進一步增加了MOS管受到靜電損壞的風險。

為了保護MOS管免受靜電損壞，可以採取以下措施：

1.MOS管的柵極接地：柵極接到一個固定的電位，避免其懸空；

2.並聯電阻：並聯一個電阻在Vgs之間，起到一個放電電阻，釋放電荷的作用；

3. 放置穩壓二極體：在Vgs之間放置穩壓二極體，受外部靜電或或引起高壓損壞的可能性。

此外，器件本身的性能也是十分重要的。 靜電放電產生的短時大電流，其脈衝時間常數遠小於器件散熱的時間常數。因此，當這樣的電流通過面積較小的pn結或者肖特基結時，就會瞬間產生高功率密度，導致局部過熱，甚至可能局部結溫升高超過材料的原本的溫度，導致結區局部或多處熔化，引發pn結短路，隨後器件完全失效。

這種失效的發生與否，主要取決於器件內部區域的功率密度，功率密度越小，器件越不容易受損。因此，選擇功率密度小和防靜電效果比較好的優質MOS管器件更有利於防止擊穿的風險。

在這裏我們推薦微碧VBsemi的MOS管,它能更好地防止器件應用時遇到的靜電擊穿問題，有效減少器件損壞的風險。

微碧VBsmei的MOS管優點：

低功耗：靜態功耗較低，適合用於需要長時間運行的電路；

高速度：開關速度非常快，能夠滿足高速電路的需求；

可控性強：MOS管的漏極電流能夠通過調節柵極電壓來控制，具備很好的可控性；

高穩定性：MOS管的柵氧化物層具備良好的電氣性能，有著較高的穩定性和可靠性。

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