為什麼MOSFET柵極前面要加一個100Ω電阻？如何確定？

可以得出，阻值過大過小都是對MOSFET驅動電路產生一定不利影響的，而如何確定出合適的阻值，一般是根據管子的電流容量和電壓額定值以及開關頻率，來選取Rg的數值。

摘要由作者通過智能技術生成

我們經常會聽到在MOSFET柵極前增加一個電阻。那麼，為什麼要增加這個電阻，進一步地來講，為什麼要增加一個100Ω電阻？

在MOSFET的柵極前增加一個電阻？

MOS管是電壓型控制器件，一般情況下MOS管的導通，只需要控制柵極的電壓超過其開啟閾值電壓即可，並不需要柵極電流。

所以從本質上來講，MOS管工作室柵極上並不需要串聯任何電阻。

還有一種情況，也就是MOS管柵極存在的寄生電容。一般為了加快MOS管導通和截止的速度，降低其導通和截止過程中的產生損耗，柵極上的等效電阻是應該越小越好，最好為0。

但我們卻經常會看到關於MOSFET的電路中，柵極前串聯著一個電阻。如下圖：

那為什麼要串聯這個電阻呢？

在開關狀態下，通常解釋就是為了防止MOSFET在開關過程中會產生震盪波形，因為這會增加MOSFET開關損耗，不僅如此，如果震盪過大，還會引起MOS管被擊穿。

再進一步講，為什麼電阻是100Ω呢？

我在網上看到一個仿真試驗，實驗在MOSFET電路中的柵極串聯電阻R3，分別對它取1歐姆，10歐姆，50歐姆進行仿真實驗：

00001. 

當R3為1歐姆時，輸出電壓Vds上出現高頻震盪信號。

00002. 

00003. 

當R3為10歐姆時，輸出電壓Vds的高頻震盪信號明顯被衰減。

00004. 

3. 當R3為50歐姆時，輸出電壓Vds的上升沿變得緩慢。其柵極電壓上，因為漏極-柵極之間的米勒電容效應引發了臺階。此時對應的MOS管的功耗大大增加。

簡單來說，如果它的取值小了，就會引起輸出振鈴，如果大了就會增加MOS管的開關過渡時間，從而增加其功耗。

是不是看到這裏，還是不太清楚選值為100Ω的作用在哪里？我們以上面提到的開關震盪再進深一步探討。這是一張MOSFET的驅動電路圖：

功率MOS管的驅動電路中會分佈各種電感，例如圖中的L，它們與MOSFET的Cgd, Cge會形成諧振電路：對開關驅動信號中的高頻諧波分量產生諧振，進而引起功率管輸出電壓的波動。

MOS管的柵極串聯電阻Rg，會增大MOS管驅動回路中的損耗，然後降低諧振回路的Q值，使得電感與電容諧振現象快速衰減。

在這裏我們可以理解到，MOS管柵極上所串聯的電阻，是根據具體的MOS管和電路分佈雜散電感來確定。

這跟我們上面提到阻值影響相關的，下麵會詳細提到：

如上圖，當Rg值比較小時，驅動電壓上沖會比較高，震盪較多，L（電感）越大也越明顯，此時會對MOSFET及其他器件性能產生一定影響。

此外，驅動電流的峰值也比較大，但是一般情況下，IC的驅動電流輸出能力是有一定限制的。

當阻值過大時，實際驅動電流達到IC輸出的最大值時，IC輸出就相當於一個恒流源，會對Cgs線性充電，驅動電壓波形的上升率會變慢。

而驅動波形上升比較慢的話，如果MOSFET有較大電流通過時就有不利影響。

可以得出，阻值過大過小都是對MOSFET驅動電路產生一定不利影響的，#優質作者榜#而如何確定出合適的阻值，一般是根據管子的電流容量和電壓額定值以及開關頻率，來選取Rg的數值。

還記得上面那句話嗎？

MOS管柵極上所串聯的電阻，是根據具體的MOS管和電路分佈雜散電感來確定。

因此它不是一個固定值，但100Ω卻是個常用值，這是由於我們日常使用的驅動電路應用中常得出的“範圍值”。然而，具體應用需要根據實驗檢測來確定。

看到這裏的你，可以點個關注或點個贊嗎？創作不易，感謝您的支持！

以上一部分圖片與資料來自網路整理