新型SGT技術：在電動工具、鋰電保護板上的MOSFET應用

SGTMOSFET是一種具有高功率密度、低開關損耗和優良EMI性能的功率器件。它採用遮罩柵溝槽技術，適用於電動工具和鋰電保護板等領域。SGTMOSFET具有高電壓能力、高能效、高可靠性和抗干擾性強等優勢特點。

摘要由作者通過智能技術生成

隨著手機快充、電動汽車、無刷電機和鋰電池的興起，中壓MOSFET的需求跟隨其越來越大，中壓功率器件在如今持續蓬勃發展。國內諸多廠商在相應的新技術研發上也不斷加大投入。

那麼今天，VBsemi小編就和大家一起來瞭解MOSFET產品技術：SGT技術（Shielded Gate Transistor，遮罩柵溝槽）。

SGT MOSFET產品主要應用於中壓和低壓領域，廣泛應用於電機驅動系統、逆變器系統及鋰電保護板，是核心功率控制部件。

本期內容要點主要圍繞SGT MOSFET的工藝特點、優勢特點、應用領域（電動工具、鋰電保護板上）展開講解。

一．工藝特點

SGT MOS工藝比普通溝槽更加簡單，開關損耗更小。

這是因為SGT MOS比普通溝槽工藝深3-5倍，在傳統溝槽MOSFET器件PN結垂直耗盡的基礎上引入了水準耗盡，可以利用更多的外延體積來阻擋電壓，漂移區臨界電場強度比較小，因此SGT的內阻比普通MOSFET低2倍以上。

二、優勢特點

1. 提升功率密度

這一部分我們在上面的工藝方面提到了。由於其溝槽挖掘深度深3-5倍，因此可以橫向使用更多的外延體積來阻止電壓，這使得它擁有了更低的導通電阻。

2. 極低的開關損耗

SGT技術具有低Qg 的特點。而原本遮罩柵結構的引入，可以有效降低MOSFET的米勒電容CGD高達10倍以上，這有利於在開關電源應用中的減少其開關損耗。此外，它還擁有更低的CGD/CGS比值。

3. 更好的EMI優勢和抗雪崩EAS能力

SGT MOSFET較深的溝槽深度的優勢特點，可以利用更多的晶矽體積來吸收EAS能量，因此它在雪崩時性能更強，能很好地承受雪崩擊穿和浪湧電流。同時SGT結構中寄生的CD-shield和Rshield可以吸收器件關斷時dv/dt變化帶來的尖峰和震盪，能進一步降低應用風險。

就以上的優勢特點，我們就可以進一步討論微碧新型SGT MOSFET產品在電動工具與鋰電保護板上的應用情況了。

三、應用領域

微碧VBsemi的SGT MOSFET在電動工具、鋰電保護板等領域中主要有以下優勢：

高電壓能力：它可以承受更高的電壓，在高壓領域應用更為廣泛。

高能效：它的的導通電阻更小，開關速度更快，在高頻應用中能夠實現更高的性能。

高可靠性：它的結構具有很大的優勢特點，更加穩定可靠，能夠承受更高的電流和溫度。

抗干擾性強：其結構中寄生的CD-shield和Rshield，能夠吸收器件關斷時dv/dt變化帶來的尖峰和震盪，具有更好的EMI特性。

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