為什麼MOS管需要加快關斷速度？如何解決？

有夥伴讓VBsemi小編出一期‘MOS管如何快速關斷’，這就來了。今天我們來瞭解下MOS管為什麼需要加快關斷速度，以及應該如何加速關斷。

MOS管驅動有很多種，之前我們有所瞭解，其中有一種就是用專門的驅動晶片進行驅動，我們主要圍繞這個驅動設計來展開。

在MOS管關斷的時候，一般電壓會比開通的時候更高，關斷產生的損耗也比開通產生的損耗要大，因此我們總希望電路關斷的速度能變快點。

那麼，我們要怎樣加速MOS管的關斷呢？

我們看下麵這張圖

當MOS管開通時，電阻R1與R4限流，進而對MOS管電容進行充電 ；

在這裏要注意，R1與R4的電阻參數不是固定的，並且，R1會小於R4。

當MOS管關斷時，R4電阻上的電壓被鉗位在0.7V，當大於0.7V後，電流經過二極體，然後與R1串聯進行放電，這樣就減少了驅動電阻，因此MOS管可以實現快速關斷，進而減少了關斷損耗。

這裏有個問題，如果晶片驅動能力不足的話怎麼辦？

答案是：我們可以通過增加PNP三極管來實現。

當MOS管開通時，依舊讓晶片進行直接驅動，但在關斷時可以通過三極管來進行放電。

這時，三極管的be電流控制ec電流，進而泄放MOS管的柵極電容的電荷。當三極管的ce電流滿足一定條件時，ec的電流能夠通過be電流進行放大，這樣電源IC所需的關斷能力就會小很多。

這不僅加快了MOS管關斷速度慢的問題，同時也解決了IC驅動能力不足的問題。

好了，本期大概就講到這裏，關注我，下期VBsemi小編和大家來談談“PMOS作電源開關電源電壓被瞬間拉低”的情況。