第三代電力電子半導體SiC MOSFET：聚焦高效驅動方案

第三代電力電子半導體SiC MOSFET：聚焦高效驅動方案

相比傳統的矽MOSFET，SiC MOSFET可實現在高壓下的高頻開關。新能源、電動汽車、工業自動化等領域，SiC MOSFET（碳化矽-金屬氧化物半導體場效應電晶體）憑藉高頻、高功率、低損耗等卓越性能，SiC MOSFET驅動方案備受關注。然而，SiC MOSFET的獨特器件特性，也意味著它們對柵極驅動電路有特殊的要求。

本文將圍繞SiC MOSFET的驅動方案展開瞭解，其中包括驅動過電流、過電壓保護以及如何為SiC MOSFET選擇合適的驅動晶片等。

SiC MOSFET驅動保護

1、過電壓保護

a) 漏源極過電壓保護

SiC MOSFET 在實際場景應用時，漏源極發生過電壓，一般情況有以下兩種：

第一種是在電動汽車、電力系統等應用場景。

當母線電壓較高且不穩定時，電力電子變換裝置主電路的電壓就會超過了 SiC MOSFET 漏源極的額定電壓，從而導致器件擊穿損壞。

因此在實際場景應用時，為確保安全，需要考慮預留有一定的裕量。

第二種是發生在SiC MOSFET 關斷時，漏極電流變化率 di/dt 會比較高，這種高速變化，會在電路回路寄生電感上產生電壓，並與母線電壓一起疊加在 SiC MOSFET 漏源極兩端，這會導致 SiC MOSFET 漏源極電壓產生較大的電壓過沖，嚴重時會超過器件的安全電壓，導致 SiC MOSFET 器件損壞。

因此，直流母線電壓不穩定，以及漏源極電壓過沖是產生漏源極電壓過電壓的主要因素。

為了保護器，以及變換器安全運行，目前在一些大功率場合，人們常常使用的漏源極過電壓保護措施是：

1.針對直流電壓不穩定：採取降低額定電壓使用方法；

2.針對回路中雜散電感，與電流變化較大引起的過電壓：常採用無源緩衝電路或者有源箝位電路進行保護。（圖為RC 緩衝電路）

b）柵源極過電壓保護

SiC MOSFET（碳化矽金屬氧化物半導體場效應電晶體）柵源極過電壓的主要原因可分為以下兩點：

1. 驅動電路性能不穩定，導致輸出電壓超過了柵源極電壓；

2. 當SiC MOSFET應用於橋式電路時，在某一開關管的開關瞬態下，另一開關管的柵源極電壓，可能超過柵源極開啟電壓或負向安全電壓。

為確保SiC MOSFET的正常運行，一般需將其柵源極電壓控制在-10至25V的範圍內。若電壓超出這一範圍，可能會導致SiC MOSFET遭受永久性損壞。

為避免此類情況，SiC MOSFET的驅動電路應配備柵源極保護措施：比如採用傳統柵源極並聯電容的方法，以確保柵源極電壓保持在允許範圍內。

2、過電流保護

過電流故障指的是 SiC MOSFET 因為控制信號與負載端異常，器件漏極電流大於額定值，使得器件損壞現象。

根據 SiC MOSFET 的過電流故障時，其電流值對額定電流的倍數。可以將過電流故障分為超載故障與短路故障。

a、超載故障

指 SiC MOSFET 在實際應用場景下，其所在電子裝置的輸出值大於負載額定值，而發生的故障，此時 SiC MOSFET 電流值約為額定電流的 1.4 倍左右。

當SiC MOSFET 在超載過流故障狀況下，電流變化較小，且器件能承受時間相對較長。

b、短路故障

指的是負載發生短路或橋式電路結構中，上下管近乎同時導通時發生的故障，此時 SiC MOSFET 電流值，將會迅速地增大到+其額定電流值 9 倍左右。

在這種情況下，由於快速經過 器件的電流過大，SiC MOSFET承受時間相對較短，因此需要安全可靠且快速檢測電流保護方案：

可以採用目前測量電流最簡單分流電阻檢測方法，在回路中串聯一個電阻器，來檢測電流，該方案較為簡單且可在任意系統中自由選擇使用。與此同時，為了最大限度減少對電路的影響，以及降低自身功率耗散，分流電阻阻抗值一般很低。

那麼，如何為SiC MOSFET選擇合適的驅動晶片？

需要考慮如下幾個方面：

1.驅動電平與驅動電流的要求

SiC MOS器件選擇時，應優先考慮具有較大峰值輸出電流的驅動晶片。同時，若輸出脈衝具備較快的上升和下降速度，則驅動效果更佳。這意味著，驅動晶片的上升和下降時間參數均需較小。

2.滿足較短死區時間，保證逆變系統具有更高的輸出電壓品質；

3.晶片所帶的保護功能：短路保護&有源米勒箝位

a、利用SiC MOSFET的短路耐受保護功能，提高系統可靠性；

b、使用帶有 有源米勒箝位功能的驅動晶片，使其在關斷期間不因米勒效應發生誤觸發；

4.晶片抗干擾性（CMTI），處於高頻應用環境下，這要求晶片本身具有較高的抗干擾度。

當然，選擇性能較優的SiC MOSFET也是高頻驅動應用中的重要因素。微碧VBsemi新推出的SiC MOSFET產品，就具備非常低的開關損耗和傳導損耗， 低損耗特性得以實現，得益於相對平穩的RDS（通態電阻）與溫度之間的依賴關係。特別是，抑制寄生電容引發的門極誤開通，增強了器件的穩健性，不僅對降低開關損耗有益，同時也提高了產品的易用性。