講完PMOS，這次來看看NMOS的防反保護電路有什麼不同？

講完PMOS，這次來看看NMOS的防反保護電路有什麼不同？

簡單的柵極驅動電路設計，我們會使用NMOS來作防反電路，原因是成本較低。

PMOS一般會放置在電路的高邊，NMOS則是在低邊放置。兩者的功能類似。不過，NMOS的防反結構，它的電源地和負載地是分開的，而這種結構在汽車電子產品設計中很少使用。

這是因為低邊開關存在一定的局限性，會有接地不良的隱患，功率上還是提倡使用高邊開關。

傳統的NMOS防反保護

那我們加入驅動IC呢？

採用NMOS和升降壓驅動IC設計防反保護電路時，NMOS則需要放置高邊，而驅動IC也從高邊進行取電。

優化後的NMOS和驅動IC電路

這時會產生一個大於輸入電壓（VIN）的內部電壓，給 NMOS 提供 (VGS)驅動供電。

使用驅動IC可以採取升降壓（Buck-Boost）方案。

利用升降壓拓撲有兩個優勢：一個是提供更大的驅動電流能力。

當輸入電壓疊加到100kHz，峰值為2V時，輸入電壓和源極電壓一致，系統電壓與漏極電壓一致。

當源極電壓低於漏極電壓時，輸入電壓（VIN）會低於系統電壓，MOS管驅動關斷，體二極體提供了防反保護功能，防止了電容電流回流。

如果源極電壓超過漏極電壓，輸入電壓超過系統電壓，MOS管驅動導通，可以避免體二極體導通影響電路效率。

第二個優勢是提升EMC性能。

通過採用固定的峰值電流控制，較小負載可以對應較低的fSW，而負載越輕，開關頻率越低。再者，MOS管是電壓型器件，電流消耗比較小，開關頻率也比較低，幾乎不存在EMI問題。

除了上述的兩個優勢：提供更大的驅動電流能力和提升EMC性能。此外，它還具備管壓降小，損耗和溫升低的優勢。

因此，在一些簡單的驅動電路設計中，採用NMOS進行防反接，性價比會比較高。

（以上部分圖片與資料來源於網路）