MOS管的米勒效應真就一無是處了嗎？

MOS管米勒效應會延長開關頻率，增加功耗，降低穩定性，形成米勒平臺。雖無法完全消除，但可通過減少柵極電阻或增加並聯電容來減小米勒效應的影響，同時也可利用米勒效應實現電路緩啟動。

摘要由作者通過智能技術生成

在一些高頻開關電路中，MOS管的米勒效應有著延長開關頻率，增加功耗，降低系統穩定性的讓人討厭的缺點。如下圖，t2-t3之間存在一個平坦的小臺階，藍色直線部分就是“米勒平臺”。

MOS管的導通情況（米勒效應）：

當MOSFET開通後，Vds開始下降，Id開始上升，此時MOSFET進入飽和區；但由於米勒效應，Vgs會持續一段時間不再上升，此時Id已經達到最大，而Vds還在繼續下降，直到米勒電容充滿電，Vgs又上升到驅動電壓的值，此時MOSFET進入電阻區，此時Vds徹底降下來，開通結束。

米勒效應：由於米勒電容阻止了Vgs的上升，從而也就阻止了Vgs的下降，這樣就會使損耗的時間加長,從而增加了損耗。

下圖左為MOS管的電路符號圖，右邊為MOS管的等效模型。

圖示米勒電容

Cgs：GS寄生電容

Cgd：GD寄生電容

輸入電容Ciss=Cgs+Cgd

輸出電容Coss=Cgd+Cds

反向傳輸電容Crss=Cgd

米勒效應是指：其輸入輸出之間的分佈電容Cgs在反相放大的作用下，等效輸入電容值放大的效應，米勒效應會形成米勒平臺。

米勒效應的缺點：

開頭的圖一我們就能知道，在電感負載下，MOS管的開關過程由於米勒效應明顯變長了，MOS管D極和S極重疊的時間越長，導通損耗就會越大。

而米勒電容因為MOS管的製造工藝，是必定會存在的，因此它無法做到完全消除。

但是我們可以通過減少柵極電阻Rg來減小米勒效應的影響。

可以看出，R1越小，gs充電越快，MOS管的開啟越快。

然而，米勒效應當真一無是處嗎？

我們知道任何事物都有兩面性，米勒效應的存在必然如此。

我們可以利用米勒效應來實現電路緩啟動的目的。

可以通過增加MOS管的柵極電阻，在MOS管的G-D極之間並聯大型的電容，進行人為拉長米勒的臺階。

下圖這個電路，便是增加了柵極電阻和G-D極之間的並聯電容，增大了米勒臺階，讓輸出 的波形變成了一個三角脈衝的形式。

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