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電動汽車充電樁MOSFET&IGBT系統方案
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電動汽車充電樁MOSFET&IGBT系統方案-面向4000萬充電基礎設施建設,VBsemi助力高效、安全、智能充電網路升級
隨著新能源汽車產業快速發展,充電基礎設施正在進入規模化建設與技術升級的新階段。國家發展改革委、國家能源局印發《新型電力系統建設“十五五”規劃》,提出到2030年,充電基礎設施總量將超過4000萬個,大功率充電設施約30萬個,形成支撐超過1.1億輛電動汽車的充電服務能力。

未來5年,電動汽車充電網路將從“數量增長”向“高功率、高效率、智能化、雙向互動”方向演進,加快構建覆蓋城市、道路、鄉村的立體化充電體系。其中,快充、超充、高壓平臺、V2G雙向充放電等技術將成為下一代充電樁發展的核心方向,而功率半導體器件作為充電模組中的核心元件,直接決定系統的轉換效率、可靠性以及功率密度。

VBsemi圍繞電動汽車充電樁應用場景,推出覆蓋PFC功率因數校正、高壓DC/DC轉換、800V超充、V2G雙向能源管理、輔助電源及輸出保護等關鍵環節的MOSFET、IGBT、SiC MOSFET及GaN功率器件解決方案,助力下一代智能充電基礎設施建設。
一、電動汽車充電樁核心技術趨勢

1. 快充模組向高效率、高功率密度發展
傳統充電樁主要採用400V電壓平臺,隨著800V高壓平臺新能源汽車加速普及,充電模組需要支持更高電壓、更大電流以及更低損耗運行。
未來,高速公路服務區、城市超級充電站將重點建設大功率充電設施,對功率半導體器件提出了更高要求,包括更高耐壓能力、更低導通損耗、更快開關速度以及更高熱可靠性。
在這一趨勢下,SiC MOSFET、IGBT以及低阻MOSFET將成為高功率充電模組的重要技術路線。
2. 城市與高速充電網路向智能化升級
未來,充電基礎設施將形成更加完善的立體化網路。
城市面狀網路主要覆蓋商場、停車場、社區等應用場景,重點滿足日常城市出行的快速補能需求;高速公路線狀網路重點佈局高速公路服務區及城際交通節點,為中長途新能源汽車提供高功率、快速充電服務;鄉村點狀網路則進一步擴大充電設施覆蓋範圍,提升新能源汽車在縣域及鄉村地區的充電便利性。
不同應用場景對充電設備的技術要求也有所不同。城市快充樁更加關注高效率、小型化和低成本;高速超充站更加關注高功率、高可靠性以及800V高壓平臺適配能力;V2G充電系統需要支持雙向能量流動和電網互動;智能充電終端則更加注重高集成度、高穩定性以及智能控制能力。
二、VBsemi電動汽車充電樁MOSFET&IGBT系統方案

1. PFC主開關方案——提升交流輸入轉換效率
推薦型號:VBP165R64SFD
應用模組:快充模組PFC主開關
VBP165R64SFD是一款650V高壓Super Junction MOSFET,採用TO247封裝,具有650V漏源擊穿電壓、64A漏極電流以及36mΩ導通電阻,柵源電壓為±30V,閾值電壓為3.5V,採用SJ Multi-EPI技術平臺。
在充電模組前端PFC電路中,功率器件需要承受高頻開關以及持續大電流工作。VBP165R64SFD憑藉較低的導通電阻和較低的開關損耗,可滿足高效率PFC電路對功率器件的要求。
主要優勢:低導通電阻,降低功率損耗;較低開關損耗,適合高頻PFC工作;650V耐壓能力,滿足高壓輸入應用;TO247封裝,適用於大功率散熱設計。
主要應用:20kW/30kW快充模組、AC/DC高效率轉換系統以及商用新能源汽車充電設備。
2. 高壓SiC主開關方案——賦能800V超充平臺
推薦型號:VBL712MC100K
應用模組:高壓SiC主開關
VBL712MC100K是一款1200V SiC MOSFET,採用TO263-7L-HV封裝,額定漏極電流達到100A,導通電阻僅為15mΩ,柵源驅動電壓範圍為-10V/+20V,閾值電壓為2~4.5V。
隨著800V新能源汽車平臺快速普及,充電系統對高壓、高頻和高效率功率器件的需求不斷提升。相比傳統矽基器件,SiC MOSFET更加適合高壓、高頻工作環境,可進一步降低系統開關損耗並提升功率密度。
VBL712MC100K可應用於超充模組、高壓DC/DC轉換以及高功率充電系統。
主要優勢:1200V高耐壓,滿足高壓充電平臺需求;15mΩ低導通電阻,有助於降低導通損耗;適合高頻開關工作,降低系統開關損耗;有助於減小散熱系統體積,提高充電模組功率密度。
3. LLC DC/DC轉換方案——滿足800V平臺能量轉換需求
推薦型號:VBP112MI75
應用模組:LLC DC/DC
VBP112MI75是一款1200V IGBT+FRD器件,採用TO247封裝,額定集電極電流達到75A,VCE為1200V,VCEsat@15V為1.55V,柵極驅動電壓為±30V,閾值電壓為5.5V,採用FS技術。
LLC諧振轉換是大功率充電模組中的重要拓撲,對功率器件的耐壓能力、導通特性以及可靠性具有較高要求。
VBP112MI75採用IGBT+FRD組合結構,可應用於800V充電平臺、大功率DC/DC模組以及商用新能源汽車充電設備。
主要優勢:1200V高耐壓能力;1.55V低飽和壓降;IGBT+FRD集成方案,簡化功率級設計;適合大功率LLC諧振轉換應用。

4. V2G雙向DC/DC方案——支持新能源汽車能源互聯
推薦型號:VBGQT1600
應用模組:雙向DC/DC、V2G系統
VBGQT1600是一款60V低壓大電流MOSFET,採用TOLL封裝,額定漏極電流達到480A,導通電阻僅為0.48mΩ,柵源電壓為±20V,閾值電壓為3V,採用SGT技術。
未來充電樁不僅是新能源汽車的能源輸入設備,也將逐步成為連接新能源汽車、電網與儲能系統的重要能源節點。
在V2G系統中,雙向DC/DC需要頻繁進行能量雙向傳輸,對功率器件的導通損耗和電流能力提出較高要求。VBGQT1600憑藉0.48mΩ超低導通電阻和480A大電流能力,適合高電流雙向DC/DC應用。
主要應用:V2G雙向充放電系統、電池儲能系統以及低壓大電流DC/DC轉換。
通過V2G技術,新能源汽車未來可參與削峰填穀、電網輔助調節以及分佈式能源管理,進一步提升新能源汽車動力電池的能源利用價值。
5. 輔助電源方案——高頻化、小型化設計
推薦型號:VBQE165A20S
應用模組:輔助電源、高頻電源
VBQE165A20S是一款650V GaN HEMT,採用DFN8×8封裝,額定漏極電流為20A,RDS(on)為130mΩ,柵源電壓範圍為-1.5~7V,閾值電壓為1.5V,採用E-MODE技術。
充電樁內部包含控制系統、通信模組、顯示模組以及各種輔助控制電路,這些系統都需要穩定、高效的輔助電源。
GaN器件具有高頻開關優勢,可以幫助輔助電源進一步提高工作頻率,在保證轉換效率的同時縮小磁性器件和電源系統體積。
VBQE165A20S適用於輔助AC/DC電源、高頻電源模組以及智能充電終端。
主要優勢:650V耐壓能力;高頻開關能力強;有利於縮小電源體積;適合高效率、高功率密度輔助電源設計。
6. 輸出保護方案——保障充電安全可靠
推薦型號:VBGQA1802
應用模組:充電輸出保護
VBGQA1802是一款80V低阻大電流MOSFET,採用DFN8(5×6)封裝,額定漏極電流達到180A,RDS(on)僅為1.9mΩ,柵源電壓為±20V,閾值電壓為3V,採用SGT技術。
充電槍輸出端直接連接新能源汽車動力電池,對充電過程中的過流、短路以及異常狀態回應速度具有較高要求。
VBGQA1802採用低阻大電流MOSFET設計,可以有效降低輸出端導通損耗,並兼顧較高的電流承載能力和緊湊封裝尺寸。
主要優勢:1.9mΩ低導通電阻,降低輸出損耗;180A大電流能力,滿足高電流充電需求;DFN8(5×6)緊湊封裝,有利於PCB空間優化;適合快速輸出保護及開關控制。
主要應用:充電介面保護、輸出開關控制以及低壓大電流保護等應用。
通過合理選擇功率MOSFET,可以進一步提升充電輸出端的效率和可靠性,為新能源汽車充電過程提供更加穩定的功率保護。

三、VBsemi充電樁功率器件方案總結
從交流輸入PFC,到高壓SiC主開關、LLC DC/DC,再到V2G雙向DC/DC、輔助電源和充電輸出保護,VBsemi針對電動汽車充電樁不同功率等級和功能模組,形成了覆蓋MOSFET、SiC MOSFET、IGBT+FRD以及GaN HEMT的多技術路線產品組合。
其中,VBP165R64SFD面向快充模組PFC;VBL712MC100K面向1200V高壓SiC及800V超充系統;VBP112MI75面向800V平臺LLC DC/DC;VBGQT1600面向V2G雙向DC/DC;VBQE165A20S面向高頻輔助電源;VBGQA1802則面向充電輸出保護。

隨著充電基礎設施向高功率、高效率、高壓化、智能化和雙向能源互動方向發展,功率半導體器件將成為提升充電設備性能的關鍵環節。VBsemi將持續通過低阻MOSFET、SiC MOSFET、IGBT和GaN等產品平臺,為快充、超充、800V平臺及V2G等應用提供功率器件解決方案。
四、VBsemi助力下一代智能充電基礎設施
面對未來4000萬個充電基礎設施建設目標,充電設備將向:
更高功率、更高效率、更小體積、更智能管理、更強能源互動方向發展。
VBsemi通過MOSFET、SiC MOSFET、IGBT、GaN HEMT多技術平臺佈局,為新能源汽車快充、超充、800V平臺以及V2G能源互聯網提供完整功率半導體解決方案。
未來,隨著新能源汽車與新型電力系統深度融合,高性能功率器件將成為推動綠色能源基礎設施升級的重要核心力量。
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