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VBQA165A20S Product details
Back to previous pageProduct introduction：
VBQA165A20S 是一款采用增强型 E‑MODE 工艺的单 N 沟道功率 GaN 器件，封装为紧凑型 DFN8(5X6)，专为高频、高效率电源转换应用而设计。其耐压等级为 650V，持续漏极电流（ID）达 20A，典型导通电阻为 110mΩ，阈值电压（VGS(th)）为 1.5V，并支持 -1.5V 至 7V 的宽栅极驱动电压范围，便于与常用控制芯片直接接口。得益于 GaN 材料固有的极低寄生电容与快速开关特性，该器件在相同导通电阻下相比传统硅 MOSFET 可大幅降低开关损耗，支持更高的工作频率，从而有效缩小变压器、电感等磁性元件体积，提升系统功率密度。VBQA165A20S 在高性能适配器、LED 照明驱动、工业开关电源等应用中，为设计师提供兼具效率与小型化优势的可靠开关方案。
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Product parameter：
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds6 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DFN8(5X6) | Single-N | 650V | -1.5~7V | 1.5V | 20A | 110(mΩ) | E-MODE |
详细参数
- **封装**: DFN8(5X6)
- **配置**: Single-N Channel
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**: 650V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**: -1.5~7V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 1.5V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- 110mΩ @ VGS = 6V
- **最大连续漏极电流 (ID)**: 20A
- **技术**: E-MODE
Domain and module applications：
VBQA165A20S 凭借出色的高频开关特性与低寄生参数，广泛适用于多种高能效、小型化电源转换场景，其典型应用领域与对应系统模块如下：
高效率 AC‑DC 适配器与快充充电器领域，常搭配反激（Flyback）、准谐振（QR）或有源钳位反激变换器模块。
LED 照明驱动电源领域，适合采用 Boost PFC 功率因数校正及 LLC 谐振拓扑模块。
工业开关电源及服务器/通信设备电源模块领域，可集成于半桥/全桥 LLC 或同步整流 DC‑DC 转换模块。
在光伏优化器与储能系统前端领域，可结合升压（Boost）及反激式功率变换模块。
上述应用组合充分发挥了该器件的高频开关优势，有助于显著减小变压器与电感体积，提升系统功率密度与整体转换效率。
Technical support：
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