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VBQE165A20S Product details
Back to previous pageProduct introduction：
VBQE165A20S 是一款採用增強型 E‑MODE 工藝的單 N 溝道功率 GaN 器件，封裝為緊湊型 DFN8X8，專為高頻、高效率電源轉換應用而設計。其耐壓等級為 650V，持續漏極電流（ID）達 20A，典型導通電阻為 110mΩ，閾值電壓（VGS(th)）1.5V，並支持 -1.5V 至 7V 的寬柵極驅動電壓範圍，便於與常用控制晶片直接介面。得益於 GaN 材料固有的極低寄生電容與快速開關特性，該器件在相同導通電阻下相比傳統矽 MOSFET 可大幅降低開關損耗，支持更高的工作頻率，從而有效縮小變壓器、電感等磁性元件體積，提升系統功率密度。VBQE165A20S 在高性能適配器、LED 照明驅動、工業開關電源等應用中，為設計師提供兼具效率與小型化優勢的可靠開關方案。
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Product parameter：
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds6 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DFN8X8 | Single-N | 650V | -1.5~7V | 1.5V | 20A | 110(mΩ) | E-MODE |
詳細參數
- **封裝**: DFN8X8
- **配置**: Single-N Channel
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**: 650V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**: -1.4~7V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.5V
- **導通電阻 (RDS(on))**:
- 110mΩ @ VGS = 6V
- **最大連續漏極電流 (ID)**: 10A
- **技術**: E-MODE
Domain and module applications：
VBQE165A20S 憑藉出色的高頻開關特性與低寄生參數，廣泛適用於多種高能效、小型化電源轉換場景，其典型應用領域與對應系統模組如下：
高效率 AC‑DC 適配器與快充充電器領域，常搭配反激（Flyback）、准諧振（QR）或有源鉗位反激變換器模組。
LED 照明驅動電源領域，適合採用 Boost PFC 功率因數校正及 LLC 諧振拓撲模組。
工業開關電源及伺服器/通信設備電源模組領域，可集成於半橋/全橋 LLC 或同步整流 DC‑DC 轉換模組。
在光伏優化器與儲能系統前端領域，可結合升壓（Boost）及反激式功率變換模組。
上述應用組合充分發揮了該器件的高頻開關優勢，有助於顯著減小變壓器與電感體積，提升系統功率密度與整體轉換效率。
Technical support：
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