GaN HEMT

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VBQA165A10S Product details

Product introduction:

VBQA165A10S 是微碧半導體(VBsemi)推出的一款高性能 E-MODE(增強型)GaN HEMT 器件。該器件採用 Single-N 配置,具備 650V 漏源電壓(VDS),門源電壓範圍為 -1.4V~7V,開啟閾值電壓 Vth = 1.5V。在 6V 驅動條件下,導通電阻(RDS(on))低至 190 mΩ,最大連續漏極電流 ID 達 10A。

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Product parameter:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 650V -1.4~7V 1.5V 10A 190(mΩ) E-MODE

型號:VBQA165A10S        

- **封裝**: DFN8(5X6)

- **配置**: Single-N Channel

- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**: 650V

- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**: -1.4~7V

- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.5V

- **導通電阻 (RDS(on))**:

 - 190mΩ @ VGS = 6V

- **最大連續漏極電流 (ID)**: 10A

- **技術**: E-MODE  


Domain and module applications:


VBQA165A10S 憑藉高頻、低損耗、高功率密度的核心優勢,廣泛應用於以下領域:


快充與無線充電 —— 支持高頻率開關,高功率密度設計滿足現代快充標準,適用於各類消費電子快充適配器及無線充電模組。


伺服器與數據中心電源 —— 降低能源消耗,提高供電可靠性,助力數據中心實現綠色節能目標。


電動汽車充電樁 —— 在高壓、高電流環境下穩定工作,確保充電系統高效運行。


工業逆變器與電源管理 —— 滿足高頻、高效和高可靠性的工業應用需求,適用於工業電源、逆變器等場景。


DC-DC 轉換器 —— 提升轉換效率,降低能耗和熱量,提高電源整體性能。


此外,VBQA165A10S 在 5G 射頻電源、車載 OBC(車載充電機)及便攜儲能等領域同樣具有廣闊的應用前景。


* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

Technical support:

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