GaN HEMT

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VBQA165A10S Product details

Product introduction:


VBQA165A10S 是微碧半导体(VBsemi)推出的一款高性能 E-MODE(增强型)GaN HEMT 器件。该器件采用 Single-N 配置,具备 650V 漏源电压(VDS),门源电压范围为 -1.4V~7V,开启阈值电压 Vth = 1.5V。在 6V 驱动条件下,导通电阻(RDS(on))低至 190 mΩ,最大连续漏极电流 ID 达 10A。

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Product parameter:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 650V -1.4~7V 1.5V 10A 190(mΩ) E-MODE


型号:VBQA165A10S        

- **封装**: DFN8(5X6)

- **配置**: Single-N Channel
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**: 650V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**: -1.4~7V

- **栅极阈值电压 (Vth)**: 1.5V

- **导通电阻 (RDS(on))**:
 - 190mΩ @ VGS = 6V
- **最大连续漏极电流 (ID)**: 10A

- **技术**: E-MODE              

Domain and module applications:


VBQA165A10S 凭借高频、低损耗、高功率密度的核心优势,广泛应用于以下领域:

快充与无线充电 —— 支持高频率开关,高功率密度设计满足现代快充标准,适用于各类消费电子快充适配器及无线充电模块。

服务器与数据中心电源 —— 降低能源消耗,提高供电可靠性,助力数据中心实现绿色节能目标。

电动汽车充电桩 —— 在高压、高电流环境下稳定工作,确保充电系统高效运行。

工业逆变器与电源管理 —— 满足高频、高效和高可靠性的工业应用需求,适用于工业电源、逆变器等场景。

DC-DC 转换器 —— 提升转换效率,降低能耗和热量,提高电源整体性能。

此外,VBQA165A10S 在 5G 射频电源、车载 OBC(车载充电机)及便携储能等领域同样具有广阔的应用前景。

* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

Technical support:

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