MOSFET

VBQF1305 Product details

Product introduction:

VBQF1305 是一款採用 Trench(溝槽)技術 製造的單通道 N 溝道功率 MOSFET,採用 DFN8(3×3) 緊湊型封裝。該器件在 30V 耐壓下實現了極低的導通電阻——VGS = 10V 時 RDS(ON) 低至 4.8mΩ,連續漏極電流高達 60A,兼具高功率密度與優異的散熱性能,是低壓高電流應用場景的理想選擇。

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Product parameter:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V ±20V 1.46V 60A 4.8(mΩ) Trench

詳細參數說明


- **封裝**: DFN8(3X3)

- **配置**: Single-N Channel

- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**: 30V

- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V

- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.46V

- **導通電阻 (RDS(on))**:

 - 4.8mΩ @ VGS = 10V

- **最大連續漏極電流 (ID)**: 60A

- **技術**: Trench 技術


Domain and module applications:


1. 電源轉換與管理

VBQF1305 廣泛應用於負載點(PoL)同步降壓電路,作為下管或主開關使用。其超低導通電阻能極大降低傳導損耗,將電源轉換效率提升至 95% 以上。適用於為 CPU、FPGA、存儲控制器等核心晶片供電的高頻同步降壓 DC-DC 電路,尤其適合高頻(500kHz 至 1MHz 以上)工作場景。

2. 電機驅動與控制

在直流電機、步進電機和伺服電機驅動系統中,VBQF1305 可作為 H 橋驅動電路的核心開關管。憑藉 60A 超大連續電流能力,可輕鬆驅動 24V 匯流排下的高扭矩電機。極低的導通電阻與低柵極電荷確保了高頻 PWM 控制下的高效率與低發熱,配合 AI 演算法可實現平滑啟停和精准扭矩控制。

3. 智能家居與消費電子

在智能臺燈、智能門鈴、電動窗簾等消費電子產品中,VBQF1305 可作為 LED 驅動開關或負載管理開關。其 DFN8(3×3) 小型封裝非常適合空間受限的便攜設備,低導通電阻有助於延長電池續航。在新國標充電寶等移動電源產品中,該器件憑藉低損耗特性有效延緩熱失控。

4. 工業自動化與控制

VBQF1305 的高電流承載能力和耐高溫特性使其在工業控制領域具有廣泛適用性。可用於工業自動化設備中的驅動器控制器、精密點膠機運動控制系統以及各類閥門執行機構驅動,幫助實現工業設備的精確控制和高效運行。

5. 數據存儲與通信設備

在伺服器、存儲系統等數據中心設備中,VBQF1305 廣泛用於 CPU/GPU 核心供電的 VRM 多相降壓電路。同時也可應用於高端條碼印表機、網路通信設備等場景的電源管理與電機驅動模組。

6. 新能源與儲能系統

在便攜儲能電源、太陽能充電控制器等新能源應用中,VBQF1305 可用於同步升降壓(Buck-Boost)電路或電池主放電回路開關。30V 耐壓為 24V 鋰電池系統(滿充約 29.4V)提供了充足的安全裕度。

* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

Technical support:

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