MOSFET

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VBQF1305 Product details

Product introduction:

VBQF1305 是一款采用 Trench(沟槽)技术 制造的单通道 N 沟道功率 MOSFET,采用 DFN8(3×3) 紧凑型封装。该器件在 30V 耐压下实现了极低的导通电阻——VGS = 10V 时 RDS(ON) 低至 4.8mΩ,连续漏极电流高达 60A,兼具高功率密度与优异的散热性能,是低压高电流应用场景的理想选择。

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Product parameter:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V ±20V 1.46V 60A 4.8(mΩ) Trench

详细参数说明

- **封装**: DFN8(3X3)

- **配置**: Single-N Channel
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**: 30V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 1.46V

- **导通电阻 (RDS(on))**:
 - 4.8mΩ @ VGS = 10V
- **最大连续漏极电流 (ID)**: 60A

- **技术**: Trench 技术



Domain and module applications:


1. 电源转换与管理

VBQF1305 广泛应用于负载点(PoL)同步降压电路,作为下管或主开关使用。其超低导通电阻能极大降低传导损耗,将电源转换效率提升至 95% 以上。适用于为 CPU、FPGA、存储控制器等核心芯片供电的高频同步降压 DC-DC 电路,尤其适合高频(500kHz 至 1MHz 以上)工作场景。

2. 电机驱动与控制

在直流电机、步进电机和伺服电机驱动系统中,VBQF1305 可作为 H 桥驱动电路的核心开关管。凭借 60A 超大连续电流能力,可轻松驱动 24V 总线下的高扭矩电机。极低的导通电阻与低栅极电荷确保了高频 PWM 控制下的高效率与低发热,配合 AI 算法可实现平滑启停和精准扭矩控制。

3. 智能家居与消费电子

在智能台灯、智能门铃、电动窗帘等消费电子产品中,VBQF1305 可作为 LED 驱动开关或负载管理开关。其 DFN8(3×3) 小型封装非常适合空间受限的便携设备,低导通电阻有助于延长电池续航。在新国标充电宝等移动电源产品中,该器件凭借低损耗特性有效延缓热失控。

4. 工业自动化与控制

VBQF1305 的高电流承载能力和耐高温特性使其在工业控制领域具有广泛适用性。可用于工业自动化设备中的驱动器控制器、精密点胶机运动控制系统以及各类阀门执行机构驱动,帮助实现工业设备的精确控制和高效运行。

5. 数据存储与通信设备

在服务器、存储系统等数据中心设备中,VBQF1305 广泛用于 CPU/GPU 核心供电的 VRM 多相降压电路。同时也可应用于高端条码打印机、网络通信设备等场景的电源管理与电机驱动模块。

6. 新能源与储能系统

在便携储能电源、太阳能充电控制器等新能源应用中,VBQF1305 可用于同步升降压(Buck-Boost)电路或电池主放电回路开关。30V 耐压为 24V 锂电池系统(满充约 29.4V)提供了充足的安全裕度。

* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

Technical support:

* If you have any questions about the product, please fill out the form to submit, we will reply you within 24 hours

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