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VBC9P3033 Product details
Back to previous pageProduct introduction：
VBC9P3033是VBsemi（微碧半导体）推出的一款高性能双P沟道功率MOSFET，采用先进的Trench（沟槽）工艺技术，在紧凑的TSSOP8封装内集成两颗独立的P沟道MOSFET。该器件专为电池保护、负载开关及电源路径管理等空间受限的高密度电源管理系统而设计，以极低的导通电阻和优异的开关特性，助力客户实现更高效、更可靠的系统方案。
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Product parameter：
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TSSOP8 | Dual P+P | -30V | ±20V | -1.7V | -5.2A | 55(mΩ) | 36(mΩ) | Trench |
详细参数说明
- **封装**: TSSOP8
- **配置**: 双极性 (P通道 + P 通道)
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**: -30V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- 55mΩ @ VGS = 4.5V
- 36mΩ @ VGS = 10V
- **最大连续漏极电流 (ID)**: -5.2A
- **技术**: Trench 技术
Domain and module applications：
VBC9P3033凭借其双P沟道集成、低导通电阻和低阈值电压的特点，在以下领域具有优异表现：
锂电池保护系统（BMS） ：用于3~7串锂电池组的过充、过放、过流及短路保护，是保护板（PCM）的理想开关器件。
便携式设备电源管理：智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、蓝牙耳机等产品中的负载开关和电源路径切换。
充电管理模块：作为充电通路控制开关，实现充电电流的接通与关断，并具备反向电流阻断功能。
电机驱动与感性负载：小型直流电机、电磁阀、继电器等感性负载的PWM驱动和开关控制。
信号/功率切换：适用于需要低压大电流切换的模拟信号或辅助电源通路。
典型应用模块
1. 电池保护板（高边保护）
利用双P沟道天然支持高边开关的特性，无需电荷泵或电平移位电路，保护IC可直接驱动两颗MOSFET分别控制充电和放电回路。双路独立设计可简化保护板拓扑，降低BOM成本，同时减小占板面积。
2. 双路负载开关
在需要独立控制两路外设供电的系统（如Wi-Fi模块、传感器、LED背光）中，VBC9P3033可同时或分时控制两路电源通断，有效降低待机功耗，并利用其低导通电阻减少压降，保证负载供电质量。
3. 充电通路管理
在充电器中，该MOSFET可串联在充电回路中，作为充电IC的开关执行器。低RDS(ON)可减少大电流充电时的功率损耗，而-30V耐压足以应对充电器输入浪涌，确保电芯安全。
4. 电源路径切换（OR-ing）
用于双电源（如USB和电池）自动切换电路中，利用P沟道MOSFET的体二极管特性实现无缝切换，同时低导通电阻确保切换后路径损耗极低，延长电池续航。
5. 小型电机H桥驱动（半桥）
两颗独立的P沟道MOSFET可配合两颗N沟道MOSFET搭建完整的H桥，驱动小型直流电机或步进电机，实现正反转和调速控制。TSSOP8小封装适合空间受限的便携设备。
Technical support：
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