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VBQH1330N Product details
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VBQH1330N 是 VBsemi 推出的 SOT883B（DFN1006B-3）封裝單路 N 溝道增強型 MOS 管，耐壓 30V，連續漏極電流 1A，脈衝峰值電流可達 4.2A；柵源電壓耐受範圍 ±12V，4.5V 驅動下導通電阻典型值 220mΩ，2.5V 低壓驅動時導通電阻僅 245mΩ，適配低壓控制場景；器件具備 2KV 人體模型 ESD 防護能力，最大耗散功率 0.7W，結溫工作區間 - 55℃~150℃，小型貼片封裝佔用 PCB 空間極小，溫控特性穩定，適合各類小型便攜電子產品低壓開關電路。
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Product parameter：
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SOT883B (DFN1006B-3) | Single-N | 30V | ±12V | 0.7V | 1.0A | 245 (mΩ) | 220 (mΩ) | Trench |
型號：VBQH1330N
品牌：VBsemi
產品類型：N 溝道增強型 MOSFET
Package:SOT883B (DFN1006B-3)
Configuration:Single-NVDS:30VVGS：±12V
Vth: 隨溫度變化，25℃典型約 0.7V 左右
RDS (ON)(VGS=4.5V):220 (mΩ)
RDS (ON)(VGS=2.5V):245 (mΩ)
ID 連續：1.0AIDM 脈衝峰值：4.2A
Power Dissipation (Ptot):0.7W
ESD (HBM):2KV
工作結溫範圍 TJ:-55~150℃
存儲溫度 Tstg:-55~150℃
熱阻 RθJA:175℃/W
Technology:Trench
應用場景：便攜設備負載開關、壓控小信號開關
Domain and module applications：
便攜數碼設備電源負載開關，用於電池供電回路通斷控制；
低壓信號通路電壓控制小信號開關；
TWS 耳機、智能手環、小型充電寶、藍牙模組等小型消費電子供電切換；
可攜式感測器、小型無線模組的電源管理開關；
低電壓直流小電流驅動、信號切換控制電路。
VBQH1330N 憑藉微型 DFN1006B-3 封裝、低壓導通特性與可靠 ESD 防護，完美適配小型便攜設備輕量化設計需求，兼顧導通損耗與使用穩定性，是小電流低壓開關場景高性價比 MOSFET 選型，可充分滿足消費類便攜電子產品電源、信號回路的長期穩定通斷控制需求。
Technical support：
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