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VBQH1330N Product details
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VBQH1330N 是 VBsemi 推出的 SOT883B（DFN1006B-3）封装单路 N 沟道增强型 MOS 管，耐压 30V，连续漏极电流 1A，脉冲峰值电流可达 4.2A；栅源电压耐受范围 ±12V，4.5V 驱动下导通电阻典型值 220mΩ，2.5V 低压驱动时导通电阻仅 245mΩ，适配低压控制场景；器件具备 2KV 人体模型 ESD 防护能力，最大耗散功率 0.7W，结温工作区间 - 55℃~150℃，小型贴片封装占用 PCB 空间极小，温控特性稳定，适合各类小型便携电子产品低压开关电路。
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Product parameter：
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SOT883B (DFN1006B-3) | Single-N | 30V | ±12V | 0.7V | 1.0A | 245 (mΩ) | 220 (mΩ) | Trench |
型号：VBQH1330N
品牌：VBsemi
产品类型：N 沟道增强型 MOSFET
Package:SOT883B (DFN1006B-3)
Configuration:Single-NVDS:30VVGS：±12V
Vth: 随温度变化，25℃典型约 0.7V 左右
RDS (ON)(VGS=4.5V):220 (mΩ)
RDS (ON)(VGS=2.5V):245 (mΩ)
ID 连续：1.0AIDM 脉冲峰值：4.2A
Power Dissipation (Ptot):0.7W
ESD (HBM):2KV
工作结温范围 TJ:-55~150℃
存储温度 Tstg:-55~150℃
热阻 RθJA:175℃/W
Technology:Trench
应用场景：便携设备负载开关、压控小信号开关
Domain and module applications：
便携数码设备电源负载开关，用于电池供电回路通断控制；
低压信号通路电压控制小信号开关；
TWS 耳机、智能手环、小型充电宝、蓝牙模组等小型消费电子供电切换；
便携式传感器、小型无线模块的电源管理开关；
低电压直流小电流驱动、信号切换控制电路。
VBQH1330N 凭借微型 DFN1006B-3 封装、低压导通特性与可靠 ESD 防护，完美适配小型便携设备轻量化设计需求，兼顾导通损耗与使用稳定性，是小电流低压开关场景高性价比 MOSFET 选型，可充分满足消费类便携电子产品电源、信号回路的长期稳定通断控制需求。
Technical support：
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