AOD4185 與 AOD4185-VB 參數對比報告

製造商

Alpha & Omega Semiconductor

VBsemi

器件類型

P-Channel 增強型 MOSFET

P-Channel 溝道 MOSFET

頁數

6頁

9頁

漏-源電壓

VDS

-40V

-40V

✅ 相同

柵-源電壓

VGS

±20V

±20V

✅ 相同

連續漏極電流 (TC=25°C)

ID

-40A

-50A

VB更高

連續漏極電流 (TC=125°C)

ID

-31A

-39A

VB更高

脈衝漏極電流

IDM

-

-200A

VB提供

雪崩電流

IAR

-

-40A

VB提供

雪崩能量

EAS

-

80mJ

VB提供

最大功率耗散 (TC=25°C)

PD

2.5W

136W

VB高很多

最大功率耗散 (TC=125°C)

PD

1.6W

45W

VB高很多

結溫範圍

TJ

-55 to 175°C

-55 to +175°C

✅ 相同

漏-源擊穿電壓

VDS

-40V

-40V

✅ 相同

柵極閾值電壓

VGS(th)

-1.7 ~ -3V

-1.0 ~ -3.5V

VB範圍更寬

漏-源導通電阻

RDS(on) @ VGS=-10V, ID=-20A

<15mΩ (max)

12mΩ (typ)

VB更優

漏-源導通電阻(125°C)

VGS=-10V, ID=-10A, 125°C

-

17mΩ

VB提供高溫數據

漏-源導通電阻

VGS=-4.5V, ID=-15A

<20mΩ (max)

15mΩ (typ)

VB更優

正向跨導

gFS

50S (typ)

61S (typ)

VB更高

體二極體正向電壓

VSD (IS=-20A)

-0.72V (typ)

-1V (max)

-

體二極體連續電流

IS

-20A

-50A

VB更高

輸入電容

Ciss

2550pF

3000pF

VB略大

輸出電容

Coss

280pF

508pF (max)

VB更大

反向傳輸電容

Crss

190pF

352pF (max)

VB更大

總柵極電荷

Qg (VGS=-10V)

55nC (max)

80nC (max)

VB更大

柵極電阻

Rg

2.5~6Ω

1.5~4.5Ω

VB更低

結到環境熱阻 (RθJA)

50°C/W (穩態)

50°C/W

結到外殼熱阻 (RθJC)

2.4°C/W

1.1°C/W

封裝類型

TO-251A (IPAK), TO-252 (DPAK)

TO-252 (DPAK)