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AOD4185 与 AOD4185-VB 参数对比报告
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基本信息
项目 | AOD4185 (原版) | AOD4185-VB (VB版本) |
制造商 | Alpha & Omega Semiconductor | VBsemi |
器件类型 | P-Channel 增强型 MOSFET | P-Channel 沟道 MOSFET |
页数 | 6页 | 9页 |
绝对最大额定值 (Absolute Maximum Ratings)
参数 | 符号 | AOD4185 | AOD4185-VB | 差异 |
漏-源电压 | VDS | -40V | -40V | ✅ 相同 |
栅-源电压 | VGS | ±20V | ±20V | ✅ 相同 |
连续漏极电流 (TC=25°C) | ID | -40A | -50A | VB更高 |
连续漏极电流 (TC=125°C) | ID | -31A | -39A | VB更高 |
脉冲漏极电流 | IDM | - | -200A | VB提供 |
雪崩电流 | IAR | - | -40A | VB提供 |
雪崩能量 | EAS | - | 80mJ | VB提供 |
最大功率耗散 (TC=25°C) | PD | 2.5W | 136W | VB高很多 |
最大功率耗散 (TC=125°C) | PD | 1.6W | 45W | VB高很多 |
结温范围 | TJ | -55 to 175°C | -55 to +175°C | ✅ 相同 |
电气特性 (25°C)
参数 | 条件 | AOD4185 | AOD4185-VB | 差异 |
漏-源击穿电压 | VDS | -40V | -40V | ✅ 相同 |
栅极阈值电压 | VGS(th) | -1.7 ~ -3V | -1.0 ~ -3.5V | VB范围更宽 |
漏-源导通电阻 | RDS(on) @ VGS=-10V, ID=-20A | <15mΩ (max) | 12mΩ (typ) | VB更优 |
漏-源导通电阻(125°C) | VGS=-10V, ID=-10A, 125°C | - | 17mΩ | VB提供高温数据 |
漏-源导通电阻 | VGS=-4.5V, ID=-15A | <20mΩ (max) | 15mΩ (typ) | VB更优 |
正向跨导 | gFS | 50S (typ) | 61S (typ) | VB更高 |
体二极管正向电压 | VSD (IS=-20A) | -0.72V (typ) | -1V (max) | - |
体二极管连续电流 | IS | -20A | -50A | VB更高 |
输入电容 | Ciss | 2550pF | 3000pF | VB略大 |
输出电容 | Coss | 280pF | 508pF (max) | VB更大 |
反向传输电容 | Crss | 190pF | 352pF (max) | VB更大 |
总栅极电荷 | Qg (VGS=-10V) | 55nC (max) | 80nC (max) | VB更大 |
栅极电阻 | Rg | 2.5~6Ω | 1.5~4.5Ω | VB更低 |
热特性
参数 | AOD4185 | AOD4185-VB |
结到环境热阻 (RθJA) | 50°C/W (稳态) | 50°C/W |
结到外壳热阻 (RθJC) | 2.4°C/W | 1.1°C/W |
封装
项目 | AOD4185 | AOD4185-VB |
封装类型 | TO-251A (IPAK), TO-252 (DPAK) | TO-252 (DPAK) |
主要差异总结
· 电流能力: AOD4185-VB 的连续电流额定值更高（-50A vs -40A）
· 导通电阻: AOD4185-VB 典型值更低（12mΩ vs <15mΩ）
· 功率额定值: AOD4185-VB 显著更高
· 热阻: AOD4185-VB 的结到外壳热阻更优（1.1 vs 2.4°C/W）
· 栅极电荷: AOD4185-VB 稍高
