微碧半導體（VBsemi）· 專注 MOSFET & IGBT 研發定制 20 年

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一、背景與需求

隨著 AI 飛控、智能避障與集群編隊技術在無人機領域的廣泛應用，動力系統對功率 MOSFET 提出了更高要求。微碧半導體（VBsemi）基於先進的 SGT 與 Trench 工藝，為 AI 無人機提供覆蓋電調（ESC）、電源管理、智能負載開關的完整動力解決方案。

核心需求指標：

二、AI 無人機專屬三核動力組合

2.1  VBGQF1402 · 電調動力核心（SGT 工藝）

作為無刷電機驅動（ESC）三相逆變橋的核心開關，VBGQF1402 以 SGT 工藝實現超低開關損耗，支持高達 100kHz 的 PWM 頻率，滿足 AI 飛控對電機毫秒級精准轉矩控制的需求。

2.2  VBQF1206 · 智能電源管家（Trench 工藝）

用於電池輸出保護與智能配電回路。極低的柵極閾值可直接由 1.8V/3.3V MCU GPIO 控制，5.5mΩ 超低導通電阻在 58A 滿負荷下損耗極低，直接提升整機續航 5%-8%。

2.3  VBC6N2022 · AI 飛控守護者（Trench 雙N）

負責飛控主板各路感測器（IMU、視覺、雷達）及通信模組（圖傳、數傳）的電源智能通斷與保護。雙 N 溝道集成設計節省 70% PCB 空間，邏輯電平驅動，可由飛控 MCU 直接控制，配合 AI 演算法動態關閉非必要負載，實現毫秒級功耗管理。

三、AI 電動無人機動力鏈架構圖

下圖展示了基於 VBsemi 三核 MOSFET 組合的完整動力系統架構，涵蓋從電池輸入到電機驅動、飛控電源管理的全鏈路設計。

圖 1：AI 電動無人機動力系統架構圖（VBsemi MOSFET 選型方案）

四、推薦選型配置（按無人機軸數）

五、為什麼這套方案匹配 AI 無人機趨勢？

SGT 工藝超低開關損耗：VBGQF1402 採用 SGT 工藝，開關損耗比傳統 Trench 降低 30%，支持 100kHz 高頻 PWM，滿足 AI 飛控毫秒級精准控制需求。

邏輯電平直驅，簡化設計：VBQF1206 與 VBC6N2022 均支持 1.8V/3.3V 邏輯電平驅動，無需額外柵極驅動 IC，降低 BOM 成本與 PCB 複雜度。

雙 N 集成，節省空間：VBC6N2022 雙 N 溝道集成設計節省 70% PCB 空間，為飛控板集成更多 AI 計算單元（NPU/GPU）留出餘量。

全鏈路效率 > 98%：三款器件協同工作，從電池到電機的全鏈路效率超過 98%，直接提升續航 5%-8%，在競爭激烈的無人機市場中形成差異化優勢。

20 年功率器件深耕：VBsemi 專注 MOSFET & IGBT 研發定制 20 年，提供完整的電調參考設計、PCB 佈局建議與 FAE 技術支持。

六、聯繫與支持

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