GaN格局重塑，VBsemi VBQE165A20S助力650V高頻電源國產化替代升級

近期，氮化鎵功率器件行業再次站上風口。

圍繞GaN核心專利的行業事件，讓電源廠商重新關注一個現實問題：在高頻高效電源快速升級的同時，GaN器件選型不能只看參數，更要關注供應鏈穩定性、產品可持續導入能力、本土化服務能力以及長期應用風險。

對於AI伺服器電源、電信電源、高功率快充、圖騰柱PFC、高頻LLC、ACF反激等應用來說，650V增強型GaN已經成為提升效率、縮小體積、降低損耗的重要器件平臺。在這一背景下，VBsemi推出的 VBQE165A20S，為客戶提供了一款面向高頻、高效率、高功率密度設計的國產化GaN替代選擇。

對標四款主流650V GaN型號，滿足國產化替代需求

VBQE165A20S定位為650V增強型GaN功率電晶體，可面向多款同級別650V GaN器件進行國產化替代選型，尤其適合對效率、開關速度、功率密度和供貨穩定性有要求的電源平臺。

在完成驅動、電氣應力、熱設計與PCB適配驗證後，VBQE165A20S可重點對標替代以下四款型號：

IGL65R140D2
IGL65R110D2
IGLD65R110D2
IGLD65R140D2

這些型號均屬於650V增強型GaN功率電晶體，常用於工業、電信、數據中心SMPS、圖騰柱PFC、高頻LLC、充電器和適配器等應用場景。VBQE165A20S在同類應用中具備650V耐壓、20A連續電流、30A脈衝電流、低導通電阻、納秒級開關速度、零反向恢復以及內置ESD保護等特點，可為客戶提供更具本土供應優勢和工程落地價值的替代方案。

650V增強型GaN，面向高頻電源核心拓撲

VBQE165A20S採用650V增強型GaN技術平臺，適用於高壓母線和高頻功率轉換場景。相比傳統矽MOSFET，GaN器件具有更快開關速度、更低開關損耗和零反向恢復等優勢，能夠幫助電源系統向高頻化、小型化和高效率方向升級。

在圖騰柱PFC、高頻LLC、伺服器電源前端、電信電源模組、高功率密度適配器以及快速充電設備中，VBQE165A20S可以有效降低開關損耗和恢復損耗，提升整機效率，並為磁性元件小型化和PCB緊湊佈局創造條件。

低導通電阻，降低系統損耗

導通損耗是影響電源效率和溫升的關鍵因素。VBQE165A20S具備典型 0.110Ω 導通電阻，可在高壓、高頻、高功率密度應用中有效降低導通損耗。

在AI伺服器電源和通信電源等連續運行場景中，更低的導通損耗意味著更高整機效率、更低熱壓力和更好的可靠性表現。對於空間緊湊、散熱受限的電源模組，VBQE165A20S能夠幫助工程師在效率、溫升和功率密度之間取得更優平衡。

20A連續電流，支撐更高功率密度

VBQE165A20S具備 20A連續漏極電流 和 30A脈衝電流能力，能夠滿足中高功率電源模組對電流能力和瞬態功率處理能力的需求。

相比部分同級650V GaN器件，VBQE165A20S在連續電流能力和功率耗散方面具備優勢，更適合用於高功率密度電源設計。配合DFN8×8封裝，可進一步減少PCB占板面積，提升系統集成度。

納秒級快速開關，釋放GaN高頻優勢

GaN器件的核心價值之一在於高頻開關能力。VBQE165A20S具備快速開通與關斷特性，能夠幫助系統降低開關損耗，提升動態回應能力。

在圖騰柱PFC應用中，快速開關有助於提升功率因數校正效率；在高頻LLC中，有助於優化諧振工作區間，減小變壓器和電感體積；在ACF反激及高功率適配器中，則有助於提高工作頻率，縮小整機體積，並改善輕載效率。

零反向恢復，降低橋式拓撲損耗

VBQE165A20S具備GaN器件典型的零反向恢復特性。由於GaN器件無傳統PN結體二極體結構，可實現 Qrr=0，有效降低橋式拓撲中的反向恢復損耗。

這一特性對於圖騰柱PFC、半橋LLC、同步整流和高頻DC/DC尤為重要。零反向恢復不僅有助於提升效率，還可以降低開關瞬態電流尖峰，減輕EMI調試壓力，提高系統設計裕量。

內置ESD保護，提升應用可靠性

高頻GaN器件對驅動、佈局和防護設計要求較高。VBQE165A20S內置ESD保護，有助於增強器件在生產、運輸、裝配和系統應用過程中的可靠性。

對於從矽MOSFET或其他GaN型號切換到VBQE165A20S的客戶，仍需結合驅動電壓、柵極電阻、開關頻率、PCB寄生參數、散熱條件和EMI表現進行完整驗證。VBsemi可圍繞典型應用場景提供器件選型、替代評估和工程支持，幫助客戶縮短導入週期。

典型應用方向

VBQE165A20S可廣泛應用於：

AI服务器电源，電信與通信電源，高頻開關電源SMPS，圖騰柱PFC，高頻LLC諧振變換器，ACF反激電源，高功率密度適配器，快速電池充電設備，工業高效電源模組

隨著AI算力、電動化、儲能和高效電源市場持續增長，電源系統正從“能用”走向“高效、小型、可靠、可持續供貨”。GaN器件也正在從消費快充市場進一步走向伺服器、電信、工業和能源等更高價值場景。

VBsemi：以本土化GaN方案助力客戶穩定導入

當前GaN產業競爭加劇，專利、供貨和國產化替代成為越來越多電源廠商關注的重點。

VBQE165A20S的推出，不僅豐富了VBsemi第三代半導體功率器件產品線，也為客戶在650V GaN平臺上提供了更靈活、更穩定、更具工程落地價值的選擇。

面向IGL65R140D2、IGL65R110D2、IGLD65R110D2、IGLD65R140D2等同類650V GaN器件替代需求，VBQE165A20S可作為重點評估型號，幫助客戶在性能、效率、體積、供應鏈安全和本土技術支持之間取得更優平衡。

VBQE165A20S，不只是VBsemi的一款GaN新品，更是面向高頻高效電源時代的國產化替代解決方案選擇。

VBsemi，讓650V GaN電源設計更高效、更緊湊、更可靠。

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誠邀蒞臨 VBsemi 展位，共探GaN高效電源新機遇

面向高頻化、高效率、高功率密度的電源發展趨勢，微碧半導體 VBsemi 將持續推進 MOSFET、SiC、GaN 等功率器件產品佈局，為AI伺服器電源、通信電源、工業電源、快充適配器、光伏儲能等應用場景提供更具競爭力的功率半導體解決方案。

2026慕尼克上海電子展期間，VBsemi 將攜多款功率器件新品及應用方案亮相現場，重點展示650V GaN、SiC MOSFET、高性能MOSFET等產品平臺。歡迎廣大客戶、合作夥伴及行業工程師蒞臨展位交流，共同探討高效電源設計、國產化替代選型與第三代半導體應用落地方案。

2026慕尼克上海電子展

微碧半導體 VBsemi
展位號：N5.150

展會時間：2026年7月1日-3日
展會地點：上海新國際博覽中心

VBsemi期待與您相聚上海，共話高效功率器件新未來！