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VBA6317 Product details
Back to previous pageProduct introduction：
VBA6317 是 VBsemi 推出的採用 Trench（溝槽）技術的高性能雙 N 溝道功率 MOSFET。該器件採用 MSOP8 封裝，具備極低的導通電阻（VGS=4.5V 時 25mΩ，VGS=10V 時 20mΩ），支持邏輯電平驅動，每通道連續漏極電流可達 6.5A，同時耐壓達到 30V。其優異的導通特性與低開關損耗使其適用於高功率密度、高效率的電源轉換及負載管理系統。
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Product parameter：
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MSOP8 | Dual N+N | 30V | ±20V | 1.6V | 6.5A | 25(mΩ) | 20(mΩ) | Trench |
產品參數：
配置：Dual N+N
漏源電壓 VDS(V)：30
柵源電壓 VGS(±V)：20
閾值電壓 Vth(V)：1.6
導通電阻 RDS(on) @ VGS=4.5V：25 mΩ
導通電阻 RDS(on) @ VGS=10V：20 mΩ
連續漏極電流 ID(A)：6.5（每通道）
技術：Trench
封裝：MSOP8
Domain and module applications：
電源轉換：小功率 DC-DC 變換器、負載點同步整流，利用低 RDS(on) 降低導通損耗。
電池保護：單節/多節鋰電池保護板，雙 N 溝道背靠背用作充電與放電控制開關。
負載開關：便攜設備、物聯網模組、可穿戴設備的雙通道高側或低側電源分配。
電機驅動：小型無人機、機器人關節、精密微型直流電機的 H 橋或半橋驅動。
信號與介面保護：USB Type-C VBUS 開關、過壓保護及電源多路複用。
該器件憑藉 Trench 技術與緊湊的 MSOP8 封裝，適合對導通電阻和空間尺寸有嚴苛要求的可攜式、電池供電及消費電子場景。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features
Technical support：
* If you have any questions about the product, please fill out the form to submit, we will reply you within 24 hours
