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VBGM1101 Product details
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VBGM1101 是 VBsemi 推出的採用 SGT（遮罩柵溝槽）技術的高性能 N 溝道功率 MOSFET。該器件採用 TO-220 封裝，具備極低的導通電阻（2mΩ @ VGS=10V）和高達 340A 的漏極電流能力，同時耐壓達到 100V。其優異的導通特性與低開關損耗使其適用於高功率、高效率要求的電源轉換系統。
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Product parameter：
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO220 | Single-N | 100V | 20（±V） | 3V | 340A | 2mΩ | SGT |
配置：Single-N
漏源電壓 VDS(V)：100
柵源電壓 VGS(±V)：20
閾值電壓 Vth(V)：3
導通電阻 RDS(on) @ VGS=10V：2 mΩ
連續漏極電流 ID(A)：340
技術：SGT
封裝：TO-220
Domain and module applications：
電源轉換：大功率 DC-DC 變換器、AC-DC 整流後級同步整流，利用低 RDS(on) 減少發熱。
電機驅動：電動工具、無人機、機器人、工業變頻器中的三相全橋或 H 橋驅動。
電池保護：電動自行車、儲能系統、UPS 中的電池斷路開關或保護板。
負載開關：高側或低側大功率負載通斷控制，如伺服器電源分配、工業加熱控制。
逆變器：太陽能逆變器、電焊機、感應加熱電源的功率級。
該器件憑藉 SGT 技術與 TO-220 封裝，適合對導通電阻和熱性能有嚴苛要求的工業及消費電子場景。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features
Technical support：
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