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VBGM1101 Product details
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VBGM1101 是 VBsemi 推出的采用 SGT（屏蔽栅沟槽）技术的高性能 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TO-220 封装，具备极低的导通电阻（2mΩ @ VGS=10V）和高达 340A 的漏极电流能力，同时耐压达到 100V。其优异的导通特性与低开关损耗使其适用于高功率、高效率要求的电源转换系统。
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Product parameter：
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO220 | Single-N | 100V | 20（±V） | 3V | 340A | 2mΩ | SGT |
配置：Single N
漏源电压 VDS(V)：100
栅源电压 VGS(±V)：20
阈值电压 Vth(V)：3
导通电阻 RDS(on) @ VGS=10V：2 mΩ
连续漏极电流 ID(A)：340
技术：SGT
封装：TO-220
Domain and module applications：
电源转换：大功率 DC-DC 变换器、AC-DC 整流后级同步整流，利用低 RDS(on) 减少发热。
电机驱动：电动工具、无人机、机器人、工业变频器中的三相全桥或 H 桥驱动。
电池保护：电动自行车、储能系统、UPS 中的电池断路开关或保护板。
负载开关：高侧或低侧大功率负载通断控制，如服务器电源分配、工业加热控制。
逆变器：太阳能逆变器、电焊机、感应加热电源的功率级。
该器件凭借 SGT 技术与 TO-220 封装，适合对导通电阻和热性能有严苛要求的工业及消费电子场景。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features
Technical support：
* If you have any questions about the product, please fill out the form to submit, we will reply you within 24 hours
