MOSFET

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VBE25R04 Product details

Product introduction:

产品简介

VBE25R04 是一款高耐压单 P 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装。该器件基于平面技术,设计用于承受高达 -500V 的漏源电压,适合在高压环境下操作。VBE25R04 的高耐压和适中的导通电阻,使其在需要高电压和高可靠性的应用中表现优异,尤其适合用于高压开关和功率管理的场合。

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Product parameter:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO252 Single-P -500V ±20V -3V -4A 4875(mΩ) 3900(mΩ) Planar
详细参数说明

- **型号**: VBE25R04
- **封装**: TO252
- **配置**: 单 P 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: -500V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅阈值电压 (Vth)**: -3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 4875mΩ @ VGS = 4.5V
 - 3900mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: -2A
- **技术**: Plannar

Domain and module applications:

应用领域和模块示例

1. **高压开关电源**:VBE25R04 的高耐压特性使其非常适合用于高压开关电源应用。它能够在高达 -500V 的电压下稳定工作,适合用于高压电源的开关和功率管理。

2. **功率管理系统**:由于其能够承受高电压且具有较低的导通电阻,VBE25R04 适用于各种功率管理系统,如电力转换器和高压功率开关,确保系统在高压环境下的高效稳定运行。

3. **电力逆变器**:在电力逆变器应用中,VBE25R04 可以处理高电压并保证电路的稳定性,特别适合用于光伏逆变器和风能发电系统中的高压开关部分。

4. **电机控制**:该 MOSFET 的高耐压和适中的导通电阻使其适合用于电机控制模块,特别是在需要高电压和可靠性的电机驱动系统中,能够有效控制电机的开关操作。

5. **高压保护电路**:VBE25R04 的高耐压特性使其适用于高压保护电路,如电源保护电路和过压保护设备,能够有效保护其他电路组件免受高压损害。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

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