VBN1402 Product details
Product introduction:
VBN1402 是一款高性能单 N 沟道 MOSFET,封装形式为 TO-262。该 MOSFET 采用先进的 Trench 技术,具有 40V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS) 规格。VBN1402 的阈值电压 (Vth) 为 3.3V,在 10V 的栅源电压下,其导通电阻极低,为 1.7mΩ,支持高达 150A 的连续漏极电流 (ID)。这使得 VBN1402 特别适合用于需要高电流处理能力和低导通损耗的高性能开关应用。
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Product parameter:
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp(V) | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO262 | Single-N | 40V | ±20V | 3.3V | 150A | 1.7(mΩ) | Trench |
| 参数 | 值 | 单位 |
|------------------------|--------------------------|--------|
| 产品型号 | VBN1402 | |
| 封装 | TO-262 | |
| 配置 | 单 N 沟道 | |
| 漏源电压 (VDS) | 40 | V |
| 栅源电压 (VGS) | ±20 | V |
| 阈值电压 (Vth) | 3.3 | V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 1.7 (VGS = 10V) | mΩ |
| 连续漏极电流 (ID) | 150 | A |
| 瞬时脉冲漏极电流 (ID(pulse)) | 400 | A |
| 最大功耗 (Ptot) | 250 | W |
| 工作温度范围 | -55 至 +175 | °C |
| 存储温度范围 | -55 至 +175 | °C |
| 技术 | Trench | |
Domain and module applications:
VBN1402 的高电流和低导通电阻特性使其在多个领域和应用中表现出色,特别适合用于高电流处理的高效开关应用。以下是几个具体的应用示例:
1. **电源管理**:在高电流电源管理系统中,如 DC-DC 转换器和电源分配系统,VBN1402 能够高效地处理高电流负载。其低导通电阻和高电流能力有助于提高电源转换效率,减少功率损耗,适用于需要高电流和低损耗的电源设计。
2. **电动机驱动**:VBN1402 的高电流处理能力使其非常适合用于高功率电动机驱动系统,例如电动汽车和工业电动机驱动。它能够有效地控制电动机的启动和运行,提供可靠的高电流处理和高效能控制。
3. **功率转换系统**:在功率转换器和逆变器中,VBN1402 能够处理高电流负载,适用于太阳能逆变器和不间断电源 (UPS) 等应用。其低导通电阻和高电流能力确保了系统的稳定性和高效性。
4. **电池管理系统**:在电池管理系统 (BMS) 中,VBN1402 可以用于电池的开关和保护功能。其高电流能力和低导通电阻使其在电池保护和电池切换中表现优越,特别适用于电动汽车和大型电池组的管理。
这些应用示例展示了 VBN1402 在需要高电流处理能力和低导通损耗的场景中的关键作用,特别是在电源管理、电动机驱动和功率转换系统中。
Technical support:
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