MOSFET

Last updated:

VBR165R01 Product details

Product introduction:

VBR165R01 产品简介

VBR165R01 是一款高耐压单N沟道功率MOSFET,采用TO-92封装。该MOSFET基于平面(Plannar)技术,设计用于高电压应用,具有650V的漏源极耐压。尽管其导通电阻较高,但其高电压能力使其非常适合在要求高电压耐受性的应用中使用,如电源保护和高电压开关。

File download

Download PDF document
Download now

Product parameter:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO92 Single-N 650V ±20V 2V 1A 6667(mΩ) Planar
VBR165R01 详细参数说明

1. **封装类型**:TO-92
2. **配置**:单N沟道
3. **漏源极电压 (VDS)**:650V 4. **栅源极电压 (VGS)**:±20V
5. **阈值电压 (Vth)**:2V
6. **导通电阻 (RDS(ON))**:
  - 6667mΩ @ VGS=10V
7. **漏极电流 (ID)**:1A
8. **技术类型**:Plannar

Domain and module applications:

应用领域和模块举例

**应用领域**:

1. **高电压保护**:VBR165R01 具有650V的漏源极耐压,适用于高电压保护应用。在高电压电源或设备中,它可以作为保护元件,防止过电压对电路的损害,确保系统的安全运行。

2. **高电压开关**:尽管导通电阻较高,但VBR165R01 适用于一些高电压开关应用,特别是那些需要高耐压但电流要求不高的场景。这使其适合用于开关电源或高电压控制系统中。

3. **工业设备**:在工业设备中,该MOSFET 可以用于高电压控制和开关应用,其高耐压能力可以在电力控制系统中提供可靠的性能,适用于高电压环境下的工业设备。

**模块举例**:

1. **高电压保护模块**:VBR165R01 可以集成在高电压保护模块中,用于保护高电压电源系统免受过电压冲击。适用于高压电源保护、变电站设备和其他需要高电压保护的应用场合。

2. **高电压开关模块**:该MOSFET 可以作为开关元件应用于高电压开关模块中,适合于处理高电压负载但对电流要求较低的场景。

3. **工业控制模块**:VBR165R01 也适用于高电压工业控制系统中的开关和控制功能,提供高电压耐受和稳定的开关性能,用于电力管理和控制系统。

总之,VBR165R01 由于其高耐压和稳定的性能,适用于高电压保护、高电压开关和工业控制等领域,为这些应用提供了可靠的解决方案。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

Technical support:

* If you have any questions about the product, please fill out the form to submit, we will reply you within 24 hours

Sample Req

QQ

Telephone

400-655-8788

WeChat

WeChat

Topping

Sample Req
Online
Telephone
WeChat