MOSFET

VBL165R15S Product details

Product introduction:

VBL165R15S产品简介

VBL165R15S是一款高耐压单N沟道MOSFET,封装为TO263,采用先进的SJ_Multi-EPI技术。这款MOSFET专为高电压应用设计,具有650V的耐压和±30V的门极源极电压最大值。其阈值电压为3.5V,导通电阻在10V栅极驱动下为300mΩ。VBL165R15S能够承受高达15A的漏极电流,具备高耐压和适中的导通电阻,非常适合用于高压开关和功率管理应用。

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Product parameter:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO263 Single-N 650V ±30V 3.5V 15A 300(mΩ) SJ_Multi-EPI
VBL165R15S详细参数说明

- **型号**:VBL165R15S
- **封装**:TO263
- **配置**:单N沟道
- **耐压VDS**:650V
- **门极源极电压VGS**:±30V
- **阈值电压Vth**:3.5V
- **导通电阻RDS(ON)**:
 - 300mΩ @ VGS=10V
- **最大连续漏极电流ID**:15A
- **技术**:SJ_Multi-EPI

Domain and module applications:

应用领域和模块示例

VBL165R15S在多个领域和模块中具有广泛的应用,特别适合于以下场景:

1. **高压电源开关**:VBL165R15S由于其高耐压和适中的导通电阻,非常适合用于高压电源开关应用,如AC-DC转换器和高压直流电源。这款MOSFET能够在高电压环境下稳定工作,确保电源系统的高效能和可靠性。

2. **电力电子设备**:在电力电子设备中,如高压逆变器和功率转换器,VBL165R15S能够有效处理高电压负载,为系统提供稳定的开关控制。其高耐压能力和适中的导通电阻使其在这些应用中表现出色,提升设备的效率和稳定性。

3. **照明控制**:在高压照明系统中,VBL165R15S可以用于控制高压负载,为照明设备提供可靠的开关功能。其高耐压能力和适中的导通电阻使其适合处理各种高压照明应用中的电流负载。

4. **工业自动化**:在工业自动化系统中,如高压电机驱动和功率管理系统,VBL165R15S能够有效控制高电压负载,提供稳定的开关控制。其高电压处理能力和适中的导通电阻确保了工业控制应用中的高效能和稳定性。

这些应用示例展示了VBL165R15S在高电压和功率管理应用中的广泛适用性,使其成为各种高电压电子设备和控制系统的理想选择。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

Technical support:

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