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高端電動汽車驅動電機控制器方案功率器件型號推薦VBM16R10S與VBGQA2403與VBGL11205
高端電動汽車驅動電機控制器系統總拓撲圖
graph LR
%% 高壓電源輸入部分
subgraph "高壓電池與預充系統"
HV_BATTERY["高壓動力電池 \n 400V/800V平臺"]
HV_BATTERY --> PRE_CHARGE_RELAY["主繼電器"]
HV_BATTERY --> SAFETY_RELAY["安全冗餘繼電器"]
subgraph "預充控制回路"
PRE_CHARGE_CONTROLLER["預充控制器"]
PRE_CHARGE_CIRCUIT["預充電阻網路"]
VBGQA2403_PRE["VBGQA2403 \n P-MOSFET \n -40V/-150A"]
end
PRE_CHARGE_CONTROLLER --> VBGQA2403_PRE
VBGQA2403_PRE --> PRE_CHARGE_CIRCUIT
PRE_CHARGE_CIRCUIT --> DC_BUS["高壓直流母線"]
end
%% 主逆變橋功率核心
subgraph "主逆變橋功率核心(150-300kW)"
DC_BUS --> INVERTER_BUS["逆變器直流母線"]
subgraph "三相橋臂功率模組"
PHASE_U["U相橋臂"]
PHASE_V["V相橋臂"]
PHASE_W["W相橋臂"]
end
INVERTER_BUS --> PHASE_U
INVERTER_BUS --> PHASE_V
INVERTER_BUS --> PHASE_W
subgraph "U相上下橋臂"
Q_UH["VBGL11205 \n N-MOSFET \n 120V/130A(上)"]
Q_UL["VBGL11205 \n N-MOSFET \n 120V/130A(下)"]
end
subgraph "V相上下橋臂"
Q_VH["VBGL11205 \n N-MOSFET \n 120V/130A(上)"]
Q_VL["VBGL11205 \n N-MOSFET \n 120V/130A(下)"]
end
subgraph "W相上下橋臂"
Q_WH["VBGL11205 \n N-MOSFET \n 120V/130A(上)"]
Q_WL["VBGL11205 \n N-MOSFET \n 120V/130A(下)"]
end
PHASE_U --> Q_UH
PHASE_U --> Q_UL
PHASE_V --> Q_VH
PHASE_V --> Q_VL
PHASE_W --> Q_WH
PHASE_W --> Q_WL
Q_UH --> MOTOR_U["U相輸出"]
Q_UL --> GND_INV["逆變器地"]
Q_VH --> MOTOR_V["V相輸出"]
Q_VL --> GND_INV
Q_WH --> MOTOR_W["W相輸出"]
Q_WL --> GND_INV
MOTOR_U --> PMSM["永磁同步電機"]
MOTOR_V --> PMSM
MOTOR_W --> PMSM
end
%% 高壓輔助電源系統
subgraph "高壓輔助電源管理系統"
HV_BUS_AUX["高壓直流母線"] --> AUX_DCDC["HV-LV DC-DC轉換器"]
subgraph "DC-DC功率級"
VBM16R10S_PRIMARY["VBM16R10S \n N-MOSFET \n 600V/10A(原邊)"]
ISOLATION_TRANS["高頻隔離變壓器"]
SYNC_RECT["同步整流器"]
end
AUX_DCDC --> VBM16R10S_PRIMARY
VBM16R10S_PRIMARY --> ISOLATION_TRANS
ISOLATION_TRANS --> SYNC_RECT
SYNC_RECT --> LV_BUS["低壓匯流排 \n 12V/5V/3.3V"]
end
%% 控制系統與負載管理
subgraph "智能控制系統"
MAIN_MCU["主控MCU/DSP"] --> GATE_DRIVERS["隔離柵極驅動器陣列"]
GATE_DRIVERS --> Q_UH
GATE_DRIVERS --> Q_UL
GATE_DRIVERS --> Q_VH
GATE_DRIVERS --> Q_VL
GATE_DRIVERS --> Q_WH
GATE_DRIVERS --> Q_WL
GATE_DRIVERS --> VBM16R10S_PRIMARY
subgraph "系統保護與監控"
CURRENT_SENSORS["高精度電流感測器"]
VOLTAGE_SENSORS["電壓檢測電路"]
TEMPERATURE_SENSORS["NTC溫度感測器"]
OVERCURRENT_PROT["過流保護電路"]
OVERVOLTAGE_PROT["過壓保護電路"]
SHORT_CIRCUIT_PROT["短路保護電路"]
end
CURRENT_SENSORS --> MAIN_MCU
VOLTAGE_SENSORS --> MAIN_MCU
TEMPERATURE_SENSORS --> MAIN_MCU
OVERCURRENT_PROT --> MAIN_MCU
OVERVOLTAGE_PROT --> MAIN_MCU
SHORT_CIRCUIT_PROT --> MAIN_MCU
LV_BUS --> MAIN_MCU
LV_BUS --> GATE_DRIVERS
end
%% 散熱與熱管理系統
subgraph "分級熱管理系統"
COOLING_SYSTEM["液冷/強制風冷系統"]
subgraph "關鍵器件散熱"
COOLING_MOSFETS["一級: 主逆變MOSFET \n 液冷散熱器"]
COOLING_AUX["二級: 輔助電源MOSFET \n 風冷散熱片"]
COOLING_CONTROL["三級: 控制IC \n PCB敷銅散熱"]
end
COOLING_SYSTEM --> COOLING_MOSFETS
COOLING_MOSFETS --> Q_UH
COOLING_MOSFETS --> Q_VH
COOLING_MOSFETS --> Q_WH
COOLING_AUX --> VBM16R10S_PRIMARY
COOLING_CONTROL --> MAIN_MCU
COOLING_CONTROL --> GATE_DRIVERS
TEMPERATURE_SENSORS --> COOLING_CONTROLLER["冷卻控制器"]
COOLING_CONTROLLER --> COOLING_SYSTEM
end
%% 通信與安全系統
subgraph "通信與功能安全"
MAIN_MCU --> CAN_BUS["車輛CAN匯流排"]
MAIN_MCU --> FLEXRAY["FlexRay通信介面"]
MAIN_MCU --> DIAGNOSTIC["診斷介面(OBD-II)"]
subgraph "安全冗餘控制"
WATCHDOG["看門狗電路"]
SAFETY_MCU["安全MCU(ASIL-D)"]
ISOLATION_BARRIER["隔離屏障"]
end
WATCHDOG --> MAIN_MCU
SAFETY_MCU --> ISOLATION_BARRIER
ISOLATION_BARRIER --> SAFETY_RELAY
ISOLATION_BARRIER --> PRE_CHARGE_CONTROLLER
end
%% 樣式定義
style Q_UH fill:#e8f5e8,stroke:#4caf50,stroke-width:2px
style VBM16R10S_PRIMARY fill:#e3f2fd,stroke:#2196f3,stroke-width:2px
style VBGQA2403_PRE fill:#fff3e0,stroke:#ff9800,stroke-width:2px
style MAIN_MCU fill:#fce4ec,stroke:#e91e63,stroke-width:2px
隨著電動汽車向高端化、高性能化持續演進，驅動電機控制器作為整車電驅系統的“大腦與心臟”，需為永磁同步電機提供精准、高效、可靠的電能轉換與扭矩控制。功率 MOSFET 的選型直接決定了控制器的峰值功率輸出、系統效率、功率密度及全生命週期可靠性。本文針對高端電驅對高效率、高散熱、高安全及緊湊空間的嚴苛要求，以場景化適配為核心，重構功率 MOSFET 選型邏輯，提供一套可直接落地的優化方案。
一、核心選型原則與場景適配邏輯
選型核心原則
高壓大電流承載： 針對 400V/800V 高壓平臺，MOSFET 耐壓值需充足預留以應對開關尖峰與母線電壓波動；導通電阻須極低以承受數百安培相電流，最小化傳導損耗。
極致低損耗與高頻化： 優先選擇超低導通電阻（Rds(on)）與優化柵極電荷（Qg）的器件，降低高頻開關下的導通與開關損耗，提升系統效率與功率密度。
封裝與散熱匹配： 根據功率等級與散熱條件，優選 TO220/TO263、DFN 等封裝，確保高熱流密度下的結溫可控與長期可靠性。
車規級可靠性： 滿足 AEC-Q101 等車規標準，具備高抗衝擊電流能力、低熱阻及卓越的溫度迴圈穩定性，適應嚴苛車載環境。
場景適配邏輯
按電機控制器核心功能與位置，將 MOSFET 應用分為三大關鍵場景：主逆變橋功率開關（動力核心）、高壓輔助電源管理（功能支撐）、預充與安全隔離控制（安全關鍵），針對性匹配器件參數與拓撲結構。
二、分場景 MOSFET 選型方案
場景 1：主逆變橋功率開關（150kW-300kW）—— 動力核心器件
推薦型號：VBGL11205（N-MOS，120V，130A，TO263）
關鍵參數優勢： 採用先進的 SGT 技術，在 10V 驅動下 Rds(on) 低至 4.4mΩ，130A 連續電流能力輕鬆應對 400V 平臺下的大相電流需求。120V 耐壓為 48V/60V 級應用提供充足裕量，或適用於多相並聯的 800V 系統細分單元。
場景適配價值： TO263（D2PAK）封裝具備優異的散熱能力和高電流承載特性，便於安裝在散熱器上實現高效熱管理。極低的導通損耗與優秀的開關特性，可支持高開關頻率運行，有助於減小輸出電流紋波和電機諧波損耗，實現高效率、高扭矩密度與低雜訊運行。
適用場景： 高端電動汽車主驅動電機逆變器三相橋臂，支持高頻率 PWM 控制與高超載能力。
場景 2：高壓輔助電源管理 —— 功能支撐器件
推薦型號：VBM16R10S（N-MOS，600V，10A，TO220）
關鍵參數優勢： 採用 SJ_Multi-EPI（超結多外延）技術，實現 600V 高耐壓與 450mΩ（10Vgs）的低導通電阻平衡。10A 連續電流滿足高壓側輔助電源轉換需求。
場景適配價值： 高耐壓特性使其可直接用於 400V 高壓母線側的 DC-DC 轉換器原邊開關或隔離電源控制。TO220 封裝便於安裝散熱，提供良好的熱可靠性。適用於為控制器內低壓控制電路、感測器、冷卻泵等提供隔離電源，確保高壓與低壓系統的安全隔離。
適用場景： 高壓至低壓（HV-LV）DC-DC 轉換器原邊開關、高壓側負載開關。
場景 3：預充與安全隔離控制 —— 安全關鍵器件
推薦型號：VBGQA2403（P-MOS，-40V，-150A，DFN8(5x6)）
關鍵參數優勢： 採用 SGT 技術的 P-MOS，在 -10V 驅動下 Rds(on) 低至 2.8mΩ，-150A 的大電流能力出眾。-40V 耐壓完美適配 12V/24V 低壓系統。
場景適配價值： 極低的導通電阻使得其在作為主接觸器並聯或替代的預充回路開關時，導通壓降與損耗極低。DFN8(5x6) 封裝功率密度高，節省佈局空間。可作為高壓主正/負繼電器後備或智能熔斷控制的一部分，實現快速、低損耗的安全通斷與故障隔離，提升系統安全等級。
適用場景： 低壓電池預充回路控制、高壓安全冗餘開關、智能配電保護。
三、系統級設計實施要點
驅動電路設計
VBGL11205： 必須搭配高性能隔離柵極驅動 IC，提供足夠峰值電流以實現快速開關，優化門極電阻以平衡開關速度與 EMI。
VBM16R10S： 需採用浮地驅動或隔離驅動方案，注意高壓擺率下的共模雜訊抑制。
VBGQA2403： 可採用專用驅動晶片或電平轉換電路，確保柵極驅動電壓足夠負（如 -10V）以實現完全開啟，降低導通損耗。
熱管理設計
分級散熱策略： VBGL11205 需安裝在液冷或強制風冷散熱器上，並採用高性能導熱材料；VBM16R10S 根據功率選擇適當散熱片；VBGQA2403 依靠大面積 PCB 敷銅散熱。
降額設計標準： 在最高環境溫度（如 105℃）下，確保 MOSFET 結溫留有充分裕量（如 20℃），持續工作電流按晶片結溫上限進行降額計算。
EMC 與可靠性保障
EMI 抑制： 主逆變橋 MOSFET（VBGL11205）的開關節點需優化佈局以減小寄生電感，可並聯 snubber 電路吸收電壓尖峰。所有高頻回路面積最小化。
保護措施： 集成過流、過溫、短路保護功能於驅動 IC 或控制器 MCU 中。柵極回路採用 TVS 管進行 ESD 和過壓保護。預充回路（VBGQA2403）需有狀態監控與故障診斷。
四、方案核心價值與優化建議
本文提出的高端電動汽車驅動電機控制器功率 MOSFET 選型方案，基於高壓大電流、高可靠性及車規場景化需求，實現了從核心動力到安全備份的全鏈路覆蓋，其核心價值主要體現在以下三個方面：
1. 極致能效與功率密度提升： 通過在主逆變橋採用超低 Rds(on) 的 SGT MOSFET（VBGL11205），顯著降低了系統核心傳導損耗。配合高壓輔助開關（VBM16R10S）與低壓大電流 P-MOS（VBGQA2403）的優化選型，實現了全系統效率的躍升。預計採用本方案後，控制器在典型工況下的效率可超過 98.5%，功率密度大幅提升，有助於減小電驅系統體積與重量。
2. 系統級安全與可靠性強化： 針對車規安全要求，方案涵蓋了高壓隔離（VBM16R10S）與關鍵安全回路控制（VBGQA2403），實現了功能安全與電氣安全的雙重保障。所選器件的高耐壓、高電流能力及車規級可靠性，確保了控制器在惡劣工況下的穩定運行與長壽命。
3. 高性能與成本平衡： 方案在追求極致性能的同時，兼顧了成本考量。主開關選用性能卓越的 SGT MOSFET，而在輔助與安全控制位置選用技術成熟、性價比高的 SJ 或 Trench MOS，實現了系統整體性能與 BOM 成本的最佳平衡，助力高端電驅平臺的市場競爭力。
在高端電動汽車驅動電機控制器的設計中，功率 MOSFET 的選型是實現高功率、高效率、高安全與高可靠性的基石。本文提出的場景化選型方案，通過精准匹配高壓動力、輔助電源與安全控制的不同需求，結合系統級的驅動、熱管理與防護設計，為控制器研發提供了一套全面、可落地的技術參考。隨著電動汽車平臺電壓的不斷提升與對效率的極致追求，未來可進一步探索 SiC MOSFET 在主逆變橋的應用，以及更高集成度的智能功率模組（IPM）開發，為打造性能引領市場的下一代高端電驅系統奠定堅實的硬體基礎。在電動化浪潮席捲全球的時代，卓越的功率器件設計與應用是驅動汽車產業向前邁進的核心動力之源。
詳細拓撲圖
主逆變橋功率開關拓撲詳圖
graph TB
subgraph "三相逆變橋拓撲"
DC_PLUS["直流正極(+VDC)"] --> PHASE_U_BRIDGE["U相橋臂"]
DC_PLUS --> PHASE_V_BRIDGE["V相橋臂"]
DC_PLUS --> PHASE_W_BRIDGE["W相橋臂"]
subgraph "U相橋臂結構"
Q_UH_DETAIL["VBGL11205 \n 上橋臂MOSFET \n 120V/130A/4.4mΩ"]
Q_UL_DETAIL["VBGL11205 \n 下橋臂MOSFET \n 120V/130A/4.4mΩ"]
end
subgraph "V相橋臂結構"
Q_VH_DETAIL["VBGL11205 \n 上橋臂MOSFET \n 120V/130A/4.4mΩ"]
Q_VL_DETAIL["VBGL11205 \n 下橋臂MOSFET \n 120V/130A/4.4mΩ"]
end
subgraph "W相橋臂結構"
Q_WH_DETAIL["VBGL11205 \n 上橋臂MOSFET \n 120V/130A/4.4mΩ"]
Q_WL_DETAIL["VBGL11205 \n 下橋臂MOSFET \n 120V/130A/4.4mΩ"]
end
PHASE_U_BRIDGE --> Q_UH_DETAIL
PHASE_U_BRIDGE --> Q_UL_DETAIL
PHASE_V_BRIDGE --> Q_VH_DETAIL
PHASE_V_BRIDGE --> Q_VL_DETAIL
PHASE_W_BRIDGE --> Q_WH_DETAIL
PHASE_W_BRIDGE --> Q_WL_DETAIL
Q_UH_DETAIL --> U_OUT["U相輸出"]
Q_UL_DETAIL --> GND_BRIDGE["橋臂地"]
Q_VH_DETAIL --> V_OUT["V相輸出"]
Q_VL_DETAIL --> GND_BRIDGE
Q_WH_DETAIL --> W_OUT["W相輸出"]
Q_WL_DETAIL --> GND_BRIDGE
U_OUT --> MOTOR_TERMINAL_U["電機U相端子"]
V_OUT --> MOTOR_TERMINAL_V["電機V相端子"]
W_OUT --> MOTOR_TERMINAL_W["電機W相端子"]
end
subgraph "柵極驅動與保護電路"
GATE_DRIVER_UH["U相上橋驅動器"] --> Q_UH_DETAIL
GATE_DRIVER_UL["U相下橋驅動器"] --> Q_UL_DETAIL
GATE_DRIVER_VH["V相上橋驅動器"] --> Q_VH_DETAIL
GATE_DRIVER_VL["V相下橋驅動器"] --> Q_VL_DETAIL
GATE_DRIVER_WH["W相上橋驅動器"] --> Q_WH_DETAIL
GATE_DRIVER_WL["W相下橋驅動器"] --> Q_WL_DETAIL
subgraph "驅動保護網路"
TVS_UH["TVS保護"]
TVS_UL["TVS保護"]
RES_UH["柵極電阻"]
RES_UL["柵極電阻"]
BOOTSTRAP_U["自舉電路"]
end
TVS_UH --> GATE_DRIVER_UH
TVS_UL --> GATE_DRIVER_UL
RES_UH --> Q_UH_DETAIL
RES_UL --> Q_UL_DETAIL
BOOTSTRAP_U --> GATE_DRIVER_UH
end
subgraph "電流檢測與保護"
SHUNT_RESISTOR["採樣電阻"]
CURRENT_AMP["電流放大器"]
COMPARATOR["比較器"]
FAULT_LATCH["故障鎖存"]
end
SHUNT_RESISTOR --> CURRENT_AMP
CURRENT_AMP --> COMPARATOR
COMPARATOR --> FAULT_LATCH
FAULT_LATCH --> GATE_DRIVER_UH
FAULT_LATCH --> GATE_DRIVER_VH
FAULT_LATCH --> GATE_DRIVER_WH
style Q_UH_DETAIL fill:#e8f5e8,stroke:#4caf50,stroke-width:2px
高壓輔助電源管理拓撲詳圖
graph LR
subgraph "隔離型DC-DC變換器"
HV_IN["高壓輸入(400V)"] --> INPUT_CAP["輸入電容"]
INPUT_CAP --> FLYBACK_TOPOLOGY["反激/LLC拓撲"]
subgraph "初級側功率級"
PRIMARY_SWITCH["VBM16R10S \n N-MOSFET \n 600V/10A/450mΩ"]
TRANSFORMER_PRIMARY["變壓器初級"]
RCD_SNUBBER["RCD緩衝電路"]
end
FLYBACK_TOPOLOGY --> PRIMARY_SWITCH
PRIMARY_SWITCH --> TRANSFORMER_PRIMARY
PRIMARY_SWITCH --> RCD_SNUBBER
RCD_SNUBBER --> HV_GND["高壓地"]
subgraph "次級側功率級"
TRANSFORMER_SECONDARY["變壓器次級"]
RECTIFIER["同步整流器"]
OUTPUT_FILTER["輸出濾波"]
end
TRANSFORMER_PRIMARY -- 磁耦合 --> TRANSFORMER_SECONDARY
TRANSFORMER_SECONDARY --> RECTIFIER
RECTIFIER --> OUTPUT_FILTER
OUTPUT_FILTER --> LV_OUT["低壓輸出(12V)"]
end
subgraph "控制與回饋回路"
PWM_CONTROLLER["PWM控制器"]
ISOLATION_FEEDBACK["隔離回饋"]
VOLTAGE_REF["電壓基準"]
CURRENT_LIMIT["電流限制"]
end
LV_OUT --> VOLTAGE_REF
VOLTAGE_REF --> ISOLATION_FEEDBACK
ISOLATION_FEEDBACK --> PWM_CONTROLLER
PWM_CONTROLLER --> GATE_DRIVER_PRIMARY["初級側驅動器"]
GATE_DRIVER_PRIMARY --> PRIMARY_SWITCH
CURRENT_LIMIT --> PWM_CONTROLLER
subgraph "低壓負載分配"
LV_OUT --> SWITCHING_REGULATOR1["開關穩壓器1(5V)"]
LV_OUT --> SWITCHING_REGULATOR2["開關穩壓器2(3.3V)"]
LV_OUT --> LINEAR_REGULATOR["線性穩壓器"]
SWITCHING_REGULATOR1 --> MCU_POWER["MCU電源"]
SWITCHING_REGULATOR2 --> SENSOR_POWER["感測器電源"]
LINEAR_REGULATOR --> ANALOG_POWER["模擬電路電源"]
end
style PRIMARY_SWITCH fill:#e3f2fd,stroke:#2196f3,stroke-width:2px
預充與安全隔離控制拓撲詳圖
graph TB
subgraph "預充控制系統"
BATTERY_POS["電池正極"] --> MAIN_CONTACTOR["主接觸器"]
BATTERY_POS --> PRE_CHARGE_PATH["預充通路"]
subgraph "預充功率回路"
PRE_CHARGE_MOSFET["VBGQA2403 \n P-MOSFET \n -40V/-150A/2.8mΩ"]
PRE_CHARGE_RESISTOR["預充電阻"]
PRE_CHARGE_CAP["母線電容"]
end
PRE_CHARGE_PATH --> PRE_CHARGE_MOSFET
PRE_CHARGE_MOSFET --> PRE_CHARGE_RESISTOR
PRE_CHARGE_RESISTOR --> PRE_CHARGE_CAP
PRE_CHARGE_CAP --> INVERTER_BUS2["逆變器直流母線"]
subgraph "預充控制邏輯"
PRE_CHARGE_CONTROLLER2["預充控制器"]
VOLTAGE_MONITOR["電壓監控器"]
CURRENT_MONITOR["電流監控器"]
TIMER_LOGIC["定時邏輯"]
end
PRE_CHARGE_CONTROLLER2 --> LEVEL_SHIFTER["電平轉換器"]
LEVEL_SHIFTER --> PRE_CHARGE_MOSFET
VOLTAGE_MONITOR --> PRE_CHARGE_CONTROLLER2
CURRENT_MONITOR --> PRE_CHARGE_CONTROLLER2
TIMER_LOGIC --> PRE_CHARGE_CONTROLLER2
subgraph "主接觸器控制"
MAIN_CONTACTOR --> CONTACTOR_DRIVER["接觸器驅動器"]
CONTACTOR_DRIVER --> SAFETY_MCU2["安全MCU"]
PRE_CHARGE_CONTROLLER2 --> CONTACTOR_DRIVER
end
end
subgraph "安全冗餘與故障隔離"
subgraph "冗餘安全開關"
SAFETY_MOSFET1["VBGQA2403 \n 安全開關1"]
SAFETY_MOSFET2["VBGQA2403 \n 安全開關2"]
ISOLATION_DIODE["隔離二極體"]
end
BATTERY_POS --> SAFETY_MOSFET1
SAFETY_MOSFET1 --> ISOLATION_DIODE
ISOLATION_DIODE --> CRITICAL_LOAD["關鍵負載"]
subgraph "故障診斷與隔離"
FAULT_DETECTOR["故障檢測器"]
ISOLATION_RELAY["隔離繼電器"]
DIAGNOSTIC_OUT["診斷輸出"]
end
FAULT_DETECTOR --> SAFETY_MCU2
SAFETY_MOSFET1 --> FAULT_DETECTOR
SAFETY_MOSFET2 --> FAULT_DETECTOR
SAFETY_MCU2 --> ISOLATION_RELAY
SAFETY_MCU2 --> DIAGNOSTIC_OUT
end
subgraph "智能熔斷控制"
subgraph "電子熔斷器"
CURRENT_SENSE2["電流採樣"]
COMPARATOR2["比較器"]
ELECTRONIC_FUSE["電子熔斷MOSFET"]
end
BATTERY_POS --> CURRENT_SENSE2
CURRENT_SENSE2 --> COMPARATOR2
COMPARATOR2 --> ELECTRONIC_FUSE
ELECTRONIC_FUSE --> PROTECTED_BUS["保護後匯流排"]
ELECTRONIC_FUSE --> LATCH_CIRCUIT["鎖存電路"]
LATCH_CIRCUIT --> STATUS_INDICATOR["狀態指示"]
end
style PRE_CHARGE_MOSFET fill:#fff3e0,stroke:#ff9800,stroke-width:2px
style SAFETY_MOSFET1 fill:#fff3e0,stroke:#ff9800,stroke-width:2px
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