为何用PMOS做低压电池防反接？

NMOS 是电压驱动型器件，需满足 VGS≥Vth（开启电压） 才能导通。

但在实际电路中：用12V给G极，因电阻 R7 存在压降，S 极电位被抬高，若 S 极电压为 8.42V，则实际驱动电压 G-S=12-8.42=3.58V。

在不是低压MOS中，一般数据手册（datasheet）建议使用10V,或者12V来进行驱动，3.58V虽能导通，但Rds（导通电阻）显著增大 ，会引发 MOS 发热、效率降低等问题。

若使用 PMOS 做高端驱动，又因 性能差、成本高（同性能下价格贵数倍 ），难以普及。

这时自举电路就应运而生了。

那自举电路的作用是什么？

自举电路就是让 G 极电压始终比 S 极高 10V 以上 ，即使该电压超过电源电压，也能保证 MOS 管低导通电阻工作。

 基本的概念有了，就可以用真实的电路图代替进行分析。

由于BUCK在MOS导通阶段S极是浮地的。所以必须加上自举电路来驱动。

具体分析如下：

XFG1信号发生器高电平时，Q2导通，给Q1的b极提供回路，Q1导通，经过D2和R2给MOS进行充电（因为这时Q4的b极是高电平，因为R3流过电流形成压降，所以Q4也是关闭的）。MOS管最终导通。

XFG1信号发送器低电平时，Q2关闭，Q1的b极没有回路，Q1关闭，这时Q4的b极有R3这个回路，所以Q4导通，MOS的G极放电。MOS关闭。

这时，对电路在 100K 下仿真，绿色为MOS的G极到S极的波形，红色是MOS的S到地的波形，可以看出自举电路可稳定为 MOS 管提供合格驱动电压，解决高端 MOS 驱动难题。