MOS管如何通过开关控制实现防烧保护？

当前防烧电路中使用的 MOS 管要求 Vth（Vgs=Vds，Id=250uA）小于 1V，可通过 1.8V GPIO 完全控制，但会存在阻抗偏大、Id 较小的问题。若换用阻抗更小、Id 更大的功率 MOS 管（Vth 约 2.5V），则面临GPIO（1.8V，未来或降至 1.2V）电压不足的控制难题。

那怎么解决这个问题呢？

优化方案 1：增加 2 个小信号 NMOS 管

即选用 Vth＜1.2V/1.8V 的 NMOS1 和 NMOS2，利用 3.4V 电源（电池或 VBOB）实现控制：

当GPIO=1.2V 时，NMOS1 导通（Vgs1=1.2V），使 NMOS2 关闭，3.4V 电压加至防烧 MOS 管栅极（Vgs=3.4V），使其打开；

GPIO=0V 时，NMOS1 关闭，NMOS2 导通，防烧 MOS 管栅极电压为 0（Vgs=0V），使其关闭

优化方案 2：增加 1 个 NMOS+1 个 PMOS

选用 Vth＜1.2V/1.8V 的 NMOS 和 PMOS，结合 3.4V 电源控制：

GPIO=1.2V 时，NMOS 导通（Vgs1=1.2V），使 PMOS 导通（Vgs2=-3.4V），3.4V 电压加至防烧 MOS 管栅极（Vgs=3.4V），使其打开；

GPIO=0V 时，NMOS，PMOS 关闭，防烧 MOS 管栅极电压为 0（Vgs=0V），使其关闭。