Boost 電路中二極體作用是什麼？

作用

（一）能量流向控制

Q4 導通（儲能）：MOS 管 Q4 導通時，電源 VIN 經電感 L8 ，使L8 儲能，電流上升。此時 D6 反向偏置截止，阻斷輸出電容 C11 向地放電，避免能量損耗。

Q4 關斷（釋能）：Q4 關斷時，L8 產生反向電動勢，D6 正嚮導通，L8 磁場能經 D6 向負載供電、給 C11 充電，維持輸出電壓。

（二）避免能量損耗

若電路中未接入 D6，Q4 導通，C11 會經 Q4 對地放電，導致電容能量浪費、輸出電壓驟降、MOS 管過熱甚至損壞，電路效率大幅降低。而D6 反向截止切斷此路，保證 C11 能量只供負載，使L8 儲能過程不受干擾。

（三）實現升壓

儲能（Q4 導通，D6 截止）：VIN 給 L8 供電，電感 L8 電流線性增加，磁場能積累。

釋能（Q4 關斷，D6 導通）：L8 與 VIN 電壓疊加作用負載實現升壓。D6 狀態切換保障 Boost 升壓。

二極體需滿足以下要求：

耐壓：反向耐壓大於 VOUT，留 20% - 30% 餘量。

電流：正向平均電流大於負載最大電流，峰值電流匹配 L8 峰值電流防過熱。

速度：選快恢復或肖特基二極體（Trr < 100ns ）降開關損耗。

壓降：正向壓降越小越好，降導通損耗。