反向保護電路：肖特基二極體、MOS管區別

在電源輸入端常需防反接電路，常見方案有串聯肖特基二極體或使用 PMOS 或 NMOS 管。

（一）使用肖特基二極體

正確接入電源時，電流正向流過二極體；電源接反時，二極體反向偏置阻斷電流，保護負載。若 12V 輸入突變為 - 20V，輸出因大容量電容維持穩定，可短時間為負載供電。

使用二極體雖電路簡單、能始終阻斷反向電流，但存在正向損耗大、高溫時漏電流增大、啟動浪湧易超額定值等問題。

（二）使用MOS管

為降低二極體正向壓降，可採用 PMOS 管替代肖特基二極體作電源防反接電路。

正常供電時，PMOS 管體二極體短暫導通，待柵極電壓低於源極電壓後，PMOS 管導通；電源極性反接時，柵極電壓變正，PMOS 管關斷，保護後級電路。其優勢在於功耗低，但無法阻斷反向電流，會導致保持電容放電（因 PMOS 管在電源電壓接近閾值電壓 Vth 才關斷，電容會反向給電源充電，造成輸出電壓驟降）

NMOS 管原理與 PMOS 類似。但還要需注意，因 MOS 管柵源（GS）電壓不能超 20V，在 24V、36V 等高壓電源系統中，需加穩壓二極體保護，防止 MOS 管損壞。

（三）兩種電路對比

輸入短路時，肖特基二極體迅速反向偏置，阻斷反向電流，輸出保持電容維持負載供電，輸入恢復後繼續由二極體供電；而 PMOS 管在柵源電壓超 Vth 時關斷，因無反向電流阻斷能力，輸出電壓會大幅下降 。