開關狀態時MOS管容易損壞？怎麼避免？

MOS管在開關狀態工作時Q1、Q2是輪流導通，MOS管柵極是在反復充電、放電的狀態，如果在此時關閉電源，MOS管的柵極就有兩種狀態，可能會引發電荷積累問題。

一個狀態是放電狀態，柵極等效電容沒有電荷存儲，一個狀態是充電狀態，柵極等效電容正好處於電荷充滿狀態，圖1所示。

 由於Q1和Q2在電源關閉後均處於斷開狀態，柵極電荷無法通過電路釋放，導致柵極電場仍然存在。當電源再次開啟時，激勵信號尚未建立，而MOS管的漏極電源（VDS）會隨機提供電壓。如果柵極電場仍然存在，導電溝道會即刻形成，導致MOS管產生不受控的巨大漏極電流（ID），可能燒壞MOS管。

那麼怎麼避免MOS管損壞呢？

我們可以在MOS管的柵極對源極並接一只泄放電阻R1，如圖2所示，關機後柵極存儲的電荷通過R1迅速釋放，此電阻的阻值不可太大（一般在5KΩ～數10KΩ左右），以保證電荷的迅速釋放。

 除了解決柵極電荷積累問題外，MOS管在開關應用中還可能因容性輸入特性導致開關動作滯後。那麼就可以引入灌流電路，通過優化柵極電荷的充放電過程，減少MOS管開關動作的延遲。

還要注意，灌流電路主要用於MOS管作為開關管的場景。當MOS管用於其他用途（如線性放大）時，由於其工作特性不同，通常無需設置灌流電路。