為什麼MOS管會出現Vgs小平臺？

以一個 NMOS 開關電路為例，其中階躍信號 VG1 設置了 DC 電平 2V，且為振幅 2V、頻率 50Hz 的方波，而 T2 的開啟電壓同樣為 2V，這使得 MOS 管 T2 會以 20ms 的週期進行開啟和截止狀態的切換。

在這一過程中，一個有趣的現象出現了：當 Vgs = 2V 時，會存在一個小平臺。那麼，為何 Vgs 在上升時會有這樣一個小平臺呢？

答案在於米勒效應。MOS 管內部存在多種寄生電容，

其中：Cgs稱為GS寄生電容，Cgd稱為GD寄生電容，輸入電容Ciss=Cgs+Cgd，輸出電容Coss=Cgd+Cds，反向傳輸電容Crss=Cgd，也叫米勒電容.

在電路工作時，米勒電容（Cgd）在反相放大的作用下，會使等效輸入電容值顯著增大。當輸入電壓要改變 Vgs 時，需要對這個增大的等效輸入電容進行充電。在充電過程中，即便輸入電壓持續上升，由於大部分能量都用於對電容充電，這就導致 Vgs 的上升速度變緩，從而形成了我們所看到的 Vgs 小平臺。

進一步探究發現，將電阻 R1 由 5K 改為 1K 後再次仿真，小平臺明顯變小甚至幾乎消失。這是因為 MOS 管開啟是輸入電壓經 R1 對 Cgs 的充電過程。R1 阻值減小，充電時間常數變小，對 Cgs 充電加快，MOS 管能更快度過米勒平臺階段，迅速進入完全導通狀態。所以，減小 R1 可改善米勒平臺，使其變小甚至消失。