MOS管週邊電路中的電阻有什麼用？

在電路中，MOS 管的 DG 和 GS 之間存在結電容，當電路工作時，DS 之間的電壓會對這些結電容進行充電。

隨著 G 極積累的靜電電壓不斷升高，一旦達到一定程度，MOS 管就會導通，若電壓過高，甚至會導致 MOS 管損壞。 此時，R7為結電容提供泄放通道，同時可以加快MOS開關速度，其阻值一般為幾千歐姆左右。

在MOS管關斷時，R6 和 D3 構成的回路能夠快速放掉柵極結電容的電荷，使得柵極電位快速下降，從而加快MOS管的開關速度。並且在高頻環境下，MOSFET 的輸入阻抗會降低，在特定頻率範圍內還會變成負阻並引發振盪，這時R6可以減少震盪。R6阻值一般較小，通常在幾歐到幾十歐之間。

另外，由於 MOS 管存在分佈電感，在其關斷時會產生反峰電壓。Rc部分用於吸收尖波，給反峰電壓提供了釋放回路。並且，D5 能夠在出現反峰電壓時保護 MOS 管，防止其被過高的電壓擊穿。經實驗，若去掉由 C11、R8 和 D5 組成的回路，電路的波形會出現大幅震盪。