MOS管擊穿燒毀有哪些情況？

之前VBsemi發表過兩篇假冒偽劣聲明，事情源於客戶反映MOS管有燒毀擊穿情況，但產品並非VBsemi正品，由於品質問題，導致在使用過程中出現了燒毀的情況。

那麼，除了假冒偽劣產品，在品質方面會導致MOS管產生擊穿燒毀的情況以外，在日常的一些操作中，也會導致MOS管的燒毀失效。

MOS管燒毀常見有四種情況：過壓、過流、靜電、發熱損壞。

過壓：當VDS、VGS過大時，超過了其本身的額定電壓，並且達到了擊穿電壓。

過流：持續性的大電流或者瞬間大電流，超過了MOS管所能承受的最大值。 如果電流非常高且散熱不良，則 mos 管可能會因溫升過高而損壞。

靜電：MOS管本身屬於ESD敏感器件，加上自身的輸入阻抗很高與結電容的存在，當外界有電磁場或者靜電干擾時，就會積累電荷，當積累到一定程度後，電壓的升高會導致管子損壞。與此同時如果難以泄放靜電時就容易導致擊穿，電壓瞬間升高也會帶來短暫的大電流，MOS管無法很好的散熱，導致擊穿燒毀。

發熱損壞：由於超過SOA安全區域而引起的發熱，主要分為直流功率和瞬態功率。

直流功率原因：導通電阻Rds（on）損耗，高溫室該阻值會增大，在一定的電流下會產生過高的熱量

瞬態功率原因：負載出現短路