如何利用MOS管實現緩啟動

如何利用MOS管實現緩啟動？為什麼需要緩啟動？

實現緩啟動電路可以有兩種方式，一種是選擇帶有緩啟動的晶片，一種是利用MOS管實現緩啟動電路。

帶有晶片的緩啟動電路

今天我們來看第二種（利用MOS管），來看看MOS管是如何實現緩啟動的。

這個電路是由D1、R1、C1和Q10組成。

①D1是穩壓二極體，防止輸入電壓過大損壞P-MOS管；

②C1和R2的作用是實現防抖動延時功能；

③R1的作用是給C1提供一個快速放電的回路，要求R1跟R2之間的分壓值必須大於MOS導通電壓。

開關管為PMOS，導通條件為Ug ＜ Us，簡單認為Ug=Us截止。

該電路中，電阻R1，R2和C1構成了分壓式RC時間常數電路，C1並聯在Q10的GS極之間。

電路原理：

當12V電源接通瞬間，C1未充電，Vgs＝0，MOS不導通。

過一會，12V通過R2向C1充電，當C1的電壓達到Vth時，MOS開始導通，這一階段，完成的是延時上電的作用。

MOS管開始導通後，Vgs繼續增加（最終在-10V左右），管子快速打開，緩啟動的輸出電壓逐漸升高直到與輸入電壓基本一致。在這一過程中，輸出電壓並不是瞬間跳變到最高的，因此，大大減輕了衝擊電流的干擾。

需要注意的是：

1、緩啟動的時間常數電路必須確保電容充電完成後，其電壓不能大於其Vgs最大電壓範圍

2、緩啟動的延遲時間不能太長

什麼情況下會利用緩啟動電路？

第一種情況是當熱拔插的過程中，兩個連接器的機械接觸後，觸點在瞬間出行了彈跳，導致電源不穩定，發生了振盪。

第二種情況是在電路中存在濾波或者大電解電容，在上電時產生了較大的脈衝電流，造成晶片的損壞。