分享一個PMOS的電路設計

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今天分享一個PMOS的電路設計，詳細瞭解下各個元器件在電路中起到的作用。

這裏的Q1為NPN三極管，Q2為PMOS管，MCU通過高低電平控制三極管Q1的導通和關斷。

當Q1關斷時，由於電阻R沒有電流流過，A點的電壓等於Vin，也就是說Q2的柵極電壓VG等於Vin，此時Q2的源極電壓VS也等於Vin，Q2的G、S兩端的電壓等於0，Q2關斷，此時的VOUT輸出關斷。

當Q1導通時，A點電壓為0，此時的Q2是G、S電壓為0-Vin=-Vin，當-Vin滿足Q2的PMOS 管的導通門限電壓，Q2導通，也就是說Vout輸出導通。

開關管Q1

可以選擇NMOS或者NPN三極管，根據MCU的IO電壓來選擇MOS管的開啟電壓要大於三極管的開啟電壓。

限流電阻R2

R2的選值要根據MCU的IO電壓、最大輸出電流和開關管Q1的類型來選擇，MOS管的限流電阻通常可以在幾十Ω級別，三極管的限流電阻要根據MCU的IO電壓/最大輸出電流來計算，一般在ｋΩ級別。

上下電阻R3

R3可作為上拉電阻，也可作為下拉電阻。

這是根據VOUT的默認狀態來決定的，在上電時，MCU還沒准備好，此時就需要一個電阻來固定電平；如果默認VOUT上電，那麼R3就需要上拉，反之則是下拉，

上拉的電壓VCC是MCU的IO供電電壓。

GS並聯電容C

在PMOS的GS之間並聯一個電容C。當開啟PMOS時，先給電容C充電，此時PMOS的VGS從0開始上升，PMOS經過可變電阻再到飽和區，可以防止開通瞬間後級電路中，各種因素，導致PMOS被大電流衝擊。

GS電阻R1

R1的選值在幾十上百KΩ，能有效減小Q1導通時的功耗。不過這裏要注意，R1給MOS的GS電容提供了放電回路，如果R1過大，就會導致MOS管關斷速度變慢。

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