MOSFET柵極驅動：出現了不完全導通和振盪現象怎麼辦？

MOSFET柵極驅動：出現了不完全導通和振盪現象怎麼辦？

你知道米勒平臺嗎？在MOS管GS和GD之間有一個等效電容，電容兩端電壓不能進行突變。

在柵極處加上一個開關信號，可以對電容進行充放電。

如果柵極串聯的電阻較大時，MOS管就會出現不完全導通（如下圖）但下一個關閉MOS管的信號又到達的情況。為什麼？

這是因為較大的電阻會讓柵極的充放電電流比較小，電容的充電速度變慢。

如果將串聯的電阻縮小，Vd電壓信號基本保持方波（如下圖），並且將開關頻率降低，就能實現完全導通。

除了出現不完全導通的情況以外，我們還會遇到柵極電壓Vgs出現嚴重振鈴 的情況：

此時的MOSFET不再只是徹底的導通和關斷兩種狀態，而是反復進入了高阻導通狀態，導致發熱嚴重並且燒毀MOS管。

比如說，在驅動電路中增加一個串聯電阻，MOSFET柵極電壓波形振盪現象消失。

當R<√(L/C)時，成為欠阻尼狀態，振盪就會發生。

當R>=√(L/C)時，即過阻尼狀態，振盪就會消失。

不過在這裏最好首先考慮減小PCB引線電感，增加走線的寬度或者減小，當電感無法減小時，就可以增加一個外部電阻，減小驅動電流。

部分圖片與資料來源於‘工程師說硬體‘’